【技术实现步骤摘要】
一种偏氟乙烯单体的生产方法
本专利技术涉及一种偏氟乙烯单体的生产方法。
技术介绍
目前生产VDF单体的方法主要采用二氟一氯乙烷作为原料，通过空管裂解或者水蒸气稀释裂解，在经过一系列的前处理步骤，最终通过精馏得到VDF单体。该方法在实际生产过程中，裂解不充分，导致原料浪费过大。
技术实现思路
本专利技术的目的在于旨在解决上述问题。为了实现上述目的，本专利技术的技术方案是设计一种偏氟乙烯单体的生产方法，包括如下步骤：1）采用二氟一氯乙烷作为原料，通入一级裂解炉，裂解温度450℃，反应1h；2）将上述裂解气通入二级裂解炉，裂解温度1100℃；3）将上述气体通过依次反应缓冲装置、压缩机、冷凝器，并采用回收装置回收未参与反应的二氟一氯乙烷，回收的二氟一氯乙烷重新进入一级裂解炉；4）将经过冷凝器的偏氟乙烯通入脱轻塔脱除轻组分；5）偏氟乙烯经过精馏塔等到偏氟乙烯单体。本专利技术的优点和有益效果在于：提供一种偏氟乙烯单体的生产方法，将裂解过程分为一级裂解和二级裂解，一级裂解温度较低主要起到对原料气体的预热作用并部分裂解，二级裂解温度较高，对原料气体进一步裂解。采用本专利技术的一种偏氟乙烯单体的生产方法能有效提高生产效率，降低原料浪费。具体实施方式下面结合实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。实施例：一种偏氟乙烯单体的生产方法，包括如下步骤：1）采用二氟一氯乙烷作为原料，通入一级裂解炉，裂解温度450℃，反应1h；2）将上述裂解气通入二级裂解炉，裂解温度1100℃；3）将上述气体...
【技术保护点】
一种偏氟乙烯单体的生产方法，其特征在于，包括如下步骤：1）采用二氟一氯乙烷作为原料，通入一级裂解炉，裂解温度450℃，反应1h；2）将上述裂解气通入二级裂解炉，裂解温度1100℃；3）将上述气体通过依次反应缓冲装置、压缩机、冷凝器，并采用回收装置回收未参与反应的二氟一氯乙烷，回收的二氟一氯乙烷重新进入一级裂解炉；4）将经过冷凝器的偏氟乙烯通入脱轻塔脱除轻组分；5）偏氟乙烯经过精馏塔等到偏氟乙烯单体。
【技术特征摘要】
1.一种偏氟乙烯单体的生产方法，其特征在于，包括如下步骤：1）采用二氟一氯乙烷作为原料，通入一级裂解炉，裂解温度450℃，反应1h；2）将上述裂解气通入二级裂解炉，裂解温度1100℃；3）将上述气体通过...
【专利技术属性】
技术研发人员：金飞，邹建良，
申请(专利权)人：常熟三爱富振氟新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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