【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及氟化工领域，具体地说涉及一种对原有的VDF (偏氟こ烯)単体生产エ艺流程的改进方法。
技术介绍
目前生产VDF单体的方法主要采用ニ氟ー氯こ烷(国际通用代号HCFC_142b)作为原料，通过空管裂解或者水蒸气稀释裂解，在经过一系列的前处理步骤，包括除碳、水洗、碱洗、压缩、冷脱后，最終通过精馏得到VDF単体，而其中采用的精馏装置为4塔精馏，1#VDF脱轻塔脱除轻组分，2#VDF精馏塔精馏得到VDF单体产品，3#142b脱轻塔主要回收VDF，4#142b精馏塔收集未反应的原料HCFC-142b。该方法在实际生产过程中，裂解气中所含的杂质，包括CH3F、C2H3F、152a (CH3CHF2). C2H2ClF等并没有合适的办法从精馏系统中采出，大部分还是循环回到前面的流程，而杂质的存在与积累会影响产品VDF的纯度，并且会对实 际的生产操作有比较大的影响。因此现有技术存在去除杂质困难的难题，并且会因此影响単体VDF的纯度。由于VDF单体通常用于聚合反应，而聚合反应对单体的纯度要求较高，一般要达到99. 95%以上，所以杂质的去除非常关键。另外在实际生产过程...
【技术保护点】
一种偏氟乙烯单体的制备方法，采用二氟一氯乙烷作为原料，通过空管裂解或者水蒸气稀释裂解，经过前处理后，通过精馏得到偏氟乙烯单体，其特征在于，所述精馏采用3塔装置，分别是偏氟乙烯脱轻塔脱除轻组分，偏氟乙烯精馏塔得到偏氟乙烯单体和侧线除杂塔除去杂质和高沸物，并回收偏氟乙烯单体和未参与反应的二氟一氯乙烷。
【技术特征摘要】
1.一种偏氟こ烯单体的制备方法，采用ニ氟ー氯こ烷作为原料，通过空管裂解或者水蒸气稀释裂解，经过前处理后，通过精馏得到偏氟こ烯単体，其特征在于，所述精馏采用3塔装置，分别是偏氟こ烯脱轻塔脱除轻组分，偏氟こ烯精馏塔得到偏氟こ烯単体和侧线除杂塔除去杂质和高沸物，并回收偏氟こ烯単体和未參与反应的ニ氟ー氯こ烷。2.如权利要求I所述的制备方法，其特征在于，所述侧线除杂塔塔顶温度控制在-25—33°C，塔釜温度控制在70 — 80°C，塔顶压カ控制在O. 8 — O. 9MPa，全塔压降控制在.4- 8KPa，摩尔回流比为40 — 70。3.如权利要求I所述的制备方法，其特征在于，所述侧线除杂塔的各侧线采出量以及塔顶塔釜采出量根据裂解气的组成以及偏氟こ烯精馏塔的塔釜组成来调整。4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述侧线除杂塔塔顶塔釜回收偏氟こ烯，采...
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