具有电极结构的垂直型发光二极管以及发光二极管封装件制造技术

本实用新型专利技术提供一种具有电极结构的垂直型发光二极管以及发光二极管封装件。根据一实施例的发光二极管包括：半导体层叠结构，包括下部半导体层、活性层以及上部半导体层；上部电极，连接于所述上部半导体层；下部电极，连接于所述下部半导体层，其中，所述上部电极包括电极焊盘以及在所述电极焊盘延伸的延伸部，所述电极焊盘包括沿着所述上部半导体层的一侧边缘位置而配置成长的形状并覆盖所述一侧边缘位置附近的上部半导体层的第一电极焊盘，所述延伸部包括在所述电极焊盘沿着所述上部半导体层的边缘位置延伸的边缘位置延伸部以及从所述边缘位置延伸部或者所述电极焊盘延伸而划分发光区域的中间延伸部。

Vertical light emitting diode with electrode structure and light emitting diode package

The utility model provides a vertical light emitting diode with an electrode structure and a light emitting diode package. According to an embodiment of the light emitting diode includes a semiconductor stacked structure, including a lower semiconductor layer, an active layer and an upper semiconductor layer; the upper electrode is connected to the upper semiconductor layer; a lower electrode connected to the lower part of the semiconductor layer, wherein the upper electrode includes electrode pads and the extension electrode the pad extends, the electrode pad includes a semiconductor layer along the upper side of the edge and the upper semiconductor layer configuration of growth shape and covering the side edge near the position of the first electrode pad, the extension includes extending along the upper edge of the semiconductor layer at the electrode welding position the edge of the disk position extending from the edge position and extension or extension of the electrode pad and intermediate light emitting region extension division.

【技术实现步骤摘要】
具有电极结构的垂直型发光二极管以及发光二极管封装件
本技术涉及一种发光二极管，尤其涉及一种具有电极结构的垂直型发光二极管。
技术介绍
去除生长基板的垂直型结构的发光二极管被用于多种领域。尤其是，垂直型结构的发光二极管能够以较高的功率产生光，因此近来被应用于投影仪或者汽车用前照灯。垂直型结构的发光二极管一般经过封装工序而被封装。发光二极管封装件包括向硅或者环氧之类的树脂混合荧光体的波长转换器，并且将从发光二极管发出的蓝色光或者紫外线转换成长波长的可见光。但是，由于投影仪或者汽车用前照灯在封闭的空间发出高功率光，因此周围的温度变得相当高。因此，对于在这种领域使用的发光二极管封装件，不仅要求散热特性，还要求耐高温性。但是，在以往的硅或者环氧之类的树脂混合了荧光体的波长转换器对温度较为敏感，因此并不适合于汽车用前照灯等。因此，要求具有耐高温性的新型结构的发光二极管封装件。
技术实现思路
本技术所要解决的课题是提供一种容易结合耐高温性较强的波长转换器的垂直型发光二极管以及具有该发光二极管的发光二极管封装件。本技术所要解决的另一课题是提供一种耐高温性较强的发光二极管封装件。本技术所要解决的另一课题是提供一种适合于投影仪或者汽车用前照灯的垂直型发光二极管以及具有该发光二极管的发光二极管封装件。根据本技术的一实施例，提供一种发光二极管，包括：半导体层叠结构，包括下部半导体层、活性层以及上部半导体层；上部电极，连接于所述上部半导体层；下部电极，连接于所述下部半导体层，所述上部电极包括电极焊盘以及从所述电极焊盘延伸的延伸部，所述电极焊盘包括：第一电极焊盘，配置成沿着所述上部半导体层的一侧边缘位置拉长的形状而覆盖所述一侧边缘位置附近的上部半导体层，所述延伸部包括在所述电极焊盘沿着所述上部半导体层的边缘位置而延伸的边缘位置延伸部以及从所述边缘位置延伸部或者所述电极焊盘延伸而划分发光区域的中间延伸部。所述中间延伸部可以布置成与所述电极焊盘的长度方向平行。随着远离所述电极焊盘，被所述中间区域划分的发光区域的宽度可以发生变化。所述中间延伸部可以布置成与所述电极焊盘的长度方向垂直。还可以包括覆盖所述上部半导体层的表面的绝缘层。所述上部半导体层可以具有粗糙的表面。还可以包括覆盖所述上部半导体层以及所述延伸部的波长转换器，所述波长转换器具有矩形形状。所述波长转换器可以是含磷玻璃。所述波长转换器可以覆盖与所述一侧边缘位置相向的另一侧边缘位置与所述第一电极焊盘之间的整个发光区域。所述电极焊盘还可以包括：第二电极焊盘，配置成沿着与所述上部半导体层的一侧边缘位置相向的另一侧边缘位置而拉长的形状并覆盖所述另一侧边缘位置附近的上部半导体层。所述波长转换器可以覆盖所述第一电极焊盘与所述第二电极焊盘之间的整个发光区域。根据本技术的一实施例，提供一种发光二极管封装件，包括：基底基板，具有第一电极及第二电极；发光二极管，贴装于所述基底基板上，电连接于所述第一电极及所述第二电极，且安装有波长转换器；壳体，配置于所述基底基板上，并包围所述发光二极管；以及封装材料，在所述壳体内覆盖所述发光二极管，使所述波长转换器的上表面露出，其中，所述发光二极管包括：半导体层叠结构，包括下部半导体层、活性层以及上部半导体层；上部电极，连接于所述上部半导体层；下部电极，连接于所述下部半导体层，所述上部电极包括电极焊盘以及从所述电极焊盘延伸的延伸部，所述电极焊盘包括：第一电极焊盘，配置成沿着所述上部半导体层的一侧边缘位置而拉长的形状并覆盖所述一侧边缘位置附近的上部半导体层，所述延伸部包括在所述电极焊盘沿着所述基板的边缘位置而延伸的边缘位置延伸部以及从所述边缘位置延伸部或者所述电极焊盘延伸而划分发光区域的中间延伸部。所述波长转换器可以包括具有矩形形状的含磷玻璃波长转换器。所述封装材料可以由白色反射器形成。所述白色反射器可以与所述发光二极管的四个侧面一同覆盖所述第一电极焊盘。所述电极焊盘还可以包括：第二电极焊盘，配置成沿着与所述上部半导体层的一侧边缘位置相向的另一侧边缘位置而拉长的形状并覆盖所述另一侧边缘位置附近的上部半导体层，所述白色反射器还覆盖所述第二电极焊盘。所述中间延伸部可以与所述电极焊盘的长度方向平行地布置。随着远离所述电极焊盘，被所述中间区域划分的发光区域的宽度可以发生变化。所述中间延伸部可以与所述电极焊盘的长度方向垂直地布置。所述基底基板可以包括AlN陶瓷基板，所述壳体由硅模塑料形成。所述发光二极管可以贴装于所述第一电极上，所述发光二极管的第一电极焊盘通过多个键合线电连接于所述第二电极。所述第一电极焊盘的键合有所述键合线的部分的宽度可以与位于它们之间的部分的宽度相同。根据本技术的另一实施例，提供一种发光二极管封装件，包括：基底基板，具有第一电极以及第二电极；发光二极管，封装件于所述基底基板上，电连接于所述第一电极以及第二电极，且安装有PIG波长转换器；壳体，配置于所述基底基板上，包围所述发光二极管；以及封装材料，在所述壳体内覆盖所述发光二极管，使所述PIG的上表面裸露，其中，所述发光二极管包括：半导体层叠结构，包括下部半导体层、活性层以及上部半导体层；上部电极，连接于所述上部半导体层；下部电极，连接于所述下部半导体层，所述上部电极包括电极焊盘以及从所述电极焊盘延伸的延伸部，所述电极焊盘包括沿着所述上部半导体层的一侧边缘位置配置成长的形状并覆盖所述一侧边缘位置附近的上部半导体层的第一电极焊盘，所述延伸部包括从所述电极焊盘沿着所述上部半导体层的边缘位置延伸的边缘位置延伸部以及从所述边缘位置延伸部或者所述电极焊盘延伸而划分发光区域的中间延伸部。根据本技术的实施例，提供一种通过改变电极焊盘的形状而能够较容易地粘合耐高温性较强的PIG(PhosphorInGlass)而使用的发光二极管。进而，通过利用安装有PIG的所述发光二极管，可以提供一种耐高温性较强的发光二极管封装件。附图说明图1a至图1c是用于说明根据本技术的一实施例的发光二极管封装件的示意性的立体图以及剖面图。图2a及图2b是用于说明根据本技术的一实施例的发光二极管的示意性的平面图以及剖面图。图3a及图3b是用于说明根据本技术的一实施例的安装有波长转换器的发光二极管的示意性的平面图以及剖面图。图4a及图4b是用于说明根据本技术的另一实施例的发光二极管的示意性的平面图以及剖面图。图5是用于说明根据本技术的另一实施例的发光二极管的示意性的平面图。图6是用于说明根据本技术的另一实施例的发光二极管的示意性的平面图。图7是用于说明根据本技术的另一实施例的发光二极管的示意性的平面图。图8是用于说明根据本技术的另一实施例的发光二极管的示意性的平面图。具体实施方式以下，参照附图详细说明本技术的实施例。为使本技术所属
的一般技术人员能够充分理解本技术的思想，举例说明以下实施例。因此，本技术并不限定于以下所述的实施例，也可以通过其他形态实现。并且，在附图中，为了便于说明，构成要素的宽度、长度以及厚度等可能被夸张地表述。并且，在记载为一个构成要素位于另一构成要素的“上部”或者“上方”的情况下，不仅包括各部分位于另一部分的“紧邻的上部”或者“紧邻的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，其特征在于，包括：半导体层叠结构，包括下部半导体层、活性层以及上部半导体层；上部电极，连接于所述上部半导体层；下部电极，连接于所述下部半导体层，所述上部电极包括电极焊盘以及从所述电极焊盘延伸的延伸部，所述电极焊盘包括：第一电极焊盘，配置成沿着所述上部半导体层的一侧边缘位置拉长的形状而覆盖所述一侧边缘位置附近的上部半导体层，所述延伸部包括在所述电极焊盘沿着所述上部半导体层的边缘位置而延伸的边缘位置延伸部以及从所述边缘位置延伸部或者所述电极焊盘延伸而划分发光区域的中间延伸部。

【技术特征摘要】
2016.06.16 KR 10-2016-00752861.一种发光二极管，其特征在于，包括：半导体层叠结构，包括下部半导体层、活性层以及上部半导体层；上部电极，连接于所述上部半导体层；下部电极，连接于所述下部半导体层，所述上部电极包括电极焊盘以及从所述电极焊盘延伸的延伸部，所述电极焊盘包括：第一电极焊盘，配置成沿着所述上部半导体层的一侧边缘位置拉长的形状而覆盖所述一侧边缘位置附近的上部半导体层，所述延伸部包括在所述电极焊盘沿着所述上部半导体层的边缘位置而延伸的边缘位置延伸部以及从所述边缘位置延伸部或者所述电极焊盘延伸而划分发光区域的中间延伸部。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述中间延伸部布置成与所述电极焊盘的长度方向平行。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，随着远离所述电极焊盘，被所述中间区域划分的发光区域的宽度发生变化。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述中间延伸部布置成与所述电极焊盘的长度方向垂直。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括覆盖所述上部半导体层的表面的绝缘层。6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述上部半导体层具有粗糙的表面。7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括覆盖所述上部半导体层以及所述延伸部的波长转换器，所述波长转换器具有矩形形状。8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述波长转换器是含磷玻璃。9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述波长转换器覆盖与所述一侧边缘位置相向的另一侧边缘位置与所述第一电极焊盘之间的整个发光区域。10.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述电极焊盘还包括：第二电极焊盘，配置成沿着与所述上部半导体层的一侧边缘位置相向的另一侧边缘位置而拉长的形状并覆盖所述另一侧边缘位置附近的上部半导体层。11.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，所述波长转换器覆盖所述第一电极焊盘与所述第二电极焊盘之间的整个发光区域。12.一种发光二极管封装件，其特征在于，包括：基底基板，具有第一电极及第二电极；发光二极管，贴装于所述基底基板上，电连接于所述第一电极及所述第二电极，且安装有波长转...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳宗均，朴炳奎，金彰渊，金材宪，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国,KR