高电子迁移率晶体管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高电子迁移率晶体管，包括：衬底、沟道层、势垒层、漏极、栅极、源极以及多个保护层，衬底、沟道层、势垒层由下至上依次堆叠，源极和漏极分别形成在势垒层上表面的左右两端，栅极形成在源极和漏极之间且分别与源极和漏极间隔；多个保护层堆叠设置在源极和漏极之间的势垒层上表面且覆盖在栅极上；多个保护层中的每个保护层包括钝化层和形成在钝化层上的屏蔽层，多个保护层中的屏蔽层从栅极的边缘自下而上逐渐趋近漏极；多个保护层中位于最下方的屏蔽层与栅极在垂直于势垒层上表面方向上的投影至少部分重叠。通过本实用新型专利技术的技术方案，可以在不增加导通电阻的情况下提高其击穿电压，同时减少寄生输入电容和反馈电容。

High electron mobility transistor

The utility model relates to a high electron mobility transistor includes: a substrate, a channel layer, a barrier layer, a drain, gate, source and a plurality of protective layer and the substrate, a channel layer, the barrier layer followed by the bottom stack, source and drain are formed on the surface of the barrier layer on the left and right ends the gate is formed between source and drain and source and drain intervals; a plurality of protective layer stack is arranged in the source and drain barrier layer between upper surface and covered on the gate electrode; each protection layer multiple protective layer includes a passivation layer and a shielding layer formed on the passivation layer the shielding layer of multiple layers of protection from the edge of the bottom gate gradually approaching the drain; projection the shielding layer and the gate in the bottom of the multiple layers of protection in the direction perpendicular to the surface of the barrier layer on at least part of the overlap. Through the technical scheme of the utility model, the breakdown voltage can be increased without increasing the conduction resistance, while parasitic input capacitance and feedback capacitor can be reduced.

【技术实现步骤摘要】
高电子迁移率晶体管
本技术涉及半导体
，具体地，涉及一种高电子迁移率晶体管。
技术介绍
随着科技的发展，具有更多有点的第三代半导体材料制作的功率器件异军突起，其中以GaN基为代表的功率器件开始逐渐取代Si、GaAs为代表的第二代半导体功率器件。相比于Si和GaAs制作的高电子迁移率晶体管，GaN基高电子迁移率晶体管(HighElectronMobilityTransistor，HEMT)具有更好的频率、效率以及更高的功率等特性，进而广泛应用在微波、射频领域的功率器件中。在民用领域，随着5G技术的发展，LDMOS(LateralDouble-DiffusedMetal-OxideSemiconductor)将不能满足于基站功放系统的需求，由GaNHEMT功率器件取代LDMOS器件将成为显示需要。器件的功率特性与击穿特性密切相关，为了使功率器件具有良好的功率特性以更好地满足基站功放系统的需求，在设计GaNHEMT器件时应尽可能地提高其击穿电压。相关技术中，通常通过增加GaNHEMT器件的源极和漏极之间的距离，或者淀积单层屏蔽层结构来提高GaNHEMT器件的击穿电压。但增加源极和漏极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：衬底、沟道层、势垒层、漏极、栅极、源极以及多个保护层，所述衬底、所述沟道层、所述势垒层由下至上依次堆叠，所述源极和所述漏极分别形成在所述势垒层上表面的左右两端，所述栅极形成在所述源极和所述漏极之间且分别与所述源极和所述漏极间隔；所述多个保护层堆叠设置在所述源极和所述漏极之间的所述势垒层的上表面且覆盖在所述栅极上；所述多个保护层中的每个保护层包括钝化层和形成在所述钝化层上的屏蔽层，所述多个保护层中的屏蔽层从所述栅极的边缘自下而上逐渐趋近所述漏极；所述多个保护层中位于最下方的屏蔽层与所述栅极在垂直于所述势垒层上表面方向上的投影至少部分重叠。

【技术特征摘要】
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：衬底、沟道层、势垒层、漏极、栅极、源极以及多个保护层，所述衬底、所述沟道层、所述势垒层由下至上依次堆叠，所述源极和所述漏极分别形成在所述势垒层上表面的左右两端，所述栅极形成在所述源极和所述漏极之间且分别与所述源极和所述漏极间隔；所述多个保护层堆叠设置在所述源极和所述漏极之间的所述势垒层的上表面且覆盖在所述栅极上；所述多个保护层中的每个保护层包括钝化层和形成在所述钝化层上的屏蔽层，所述多个保护层中的屏蔽层从所述栅极的边缘自下而上逐渐趋近所述漏极；所述多个保护层中位于最下方的屏蔽层与所述栅极在垂直于所述势垒层上表面方向上的投影至少部分重叠。2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述多个保护层中最下方的钝化层的厚度均匀；所述位于最下方的钝化层包括：位于所述源极和所述栅极之间的左半钝化层、位于所述栅极和所述漏极之间的右半钝化层以及覆盖在所述栅极表面的中间钝化层。3.根据权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宝国，陈容传，多新中，马勇，
申请(专利权)人：北京华通芯电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11