高电子迁移率晶体管的制造方法及高电子迁移率晶体管技术

一种高电子迁移率晶体管的制造方法及高电子迁移率晶体管。所述制造方法包括：对清洗完成的晶圆，沉积Si3N4介质层；定义隔离区，在隔离区内填充SiO2；制备第一级栅极窗口；在晶圆表面沉积栅介质层后，再次在第一级栅极窗口内制备第二级栅极窗口；沉积栅极金属；制备源极窗口和漏极窗口；沉积欧姆接触金属，并定义出源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域，由此形成具有2层金属场板的帽形栅结构；制备表面保护层，并对该保护层进行开孔，以打开源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域。

Manufacturing methods of high electron mobility transistors and high electron mobility transistors

A manufacturing method for high electron mobility transistors and a high electron mobility transistor. The manufacturing method includes: to complete the cleaning of wafer, deposition of Si3N4 dielectric layer; the definition of the isolation zone, SiO2 filled in the isolation zone; the preparation of the first gate window; the gate dielectric layer is deposited on wafer surface, again in the first stage gate window preparation second gate gate metal deposition window; preparation; the source and drain window window; ohmic contact metal deposition, and define the source electrode region and a drain region and a gate electrode metal electrode region, which has 2 layers of metal field plate cap shaped gate structure; preparation of surface protective layer and the protective layer of the hole, to open source metal electrode region and a drain region and a gate electrode metal metal electrode region.

【技术实现步骤摘要】
高电子迁移率晶体管的制造方法及高电子迁移率晶体管
本专利技术涉及半导体器件领域，具体涉及高电子迁移率晶体管的制造方法及高电子迁移率晶体管。
技术介绍
2014年10月7日，诺贝尔物理学奖颁给在氮化镓(GaN)篮光LED方面有突出贡献的三位日本科学家，这标志着以GaN为材料的器件的发展到了新的历史阶段。以氮化镓为代表的III-V族宽禁带化合物半导体材料，具有高击穿电场、高电子饱、高漂移速率和高热导率等特性，非常适用于制备大功率、高速、大电压的电力电子器件。AlGaN/GaNHEMT作为其中最具吸引力的器件类型，一方面得益于GaN和AlGaN之间的极强的自发极化和压电极化效应，使得GaN/AlGaN之间形成高电子浓度和高电子迁移率的二维电子气(2-DEG)，电子浓度高达1012-1013cm-2，电子迁移率可高达2000cm2/V；另一方面，AlGaN/GaNHEMT器件工艺简单，适合基于多种平台进行开发，开发周期短，成本低。但是，当前普遍采用的MOCVD生长的AlGaN/GaN外延结构，因为晶格失配和热失配的问题，使得HEMT器件普遍存在漏电流大的问题，使得大功率器件的静态功耗居高不下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高电子迁移率晶体管的制造方法，其特征在于，包括：对清洗完成的晶圆，沉积Si3N4介质层；定义隔离区，在隔离区内填充SiO2；制备第一级栅极窗口；在晶圆表面沉积栅介质层，并制备第二级栅极窗口；沉积栅极金属；制备源极窗口和漏极窗口；沉积欧姆接触金属，并定义出源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域；制备表面保护层，并对该保护层进行开孔，以打开源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域。

【技术特征摘要】
1.一种高电子迁移率晶体管的制造方法，其特征在于，包括：对清洗完成的晶圆，沉积Si3N4介质层；定义隔离区，在隔离区内填充SiO2；制备第一级栅极窗口；在晶圆表面沉积栅介质层，并制备第二级栅极窗口；沉积栅极金属；制备源极窗口和漏极窗口；沉积欧姆接触金属，并定义出源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域；制备表面保护层，并对该保护层进行开孔，以打开源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域。2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管的制造方法，其特征在于，所述对清洗完成的晶圆，沉积Si3N4介质层，包括：采用LPCVD的方式沉积Si3N4介质层，该介质层的厚度为30nm到35nm。3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管的制造方法，其特征在于，所述定义隔离区，在隔离区内填充SiO2，包括：采用ICP的方式定义隔离区，采用PECVD沉积SiO2层，该SiO2层的厚度为300nm到500nm。4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管的制造方法，其特征在于，所述制备第一级栅极窗口，包括：采用ICP...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙辉，刘美华，林信南，陈东敏，
申请(专利权)人：北京大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：广东,44