The invention discloses a GaN semiconductor device includes a substrate; a seed layer disposed on the substrate; a buffer layer is arranged on the seed layer; the gallium nitride layer is arranged on the buffer layer; AlxGaN1 xN layer arranged on the GaN layer; the the AlxGaN1 xN layer includes sequentially to the GaN layer on the first gallium nitride layer of aluminum, aluminum nitride and gallium aluminium nitride layer second layer. The structure of the GaN semiconductor devices, the growth of two-dimensional electron gas (2DEG) with aluminum gallium nitride thin film, the effective use as the insertion of AlGaN / AlN thin film structure / AlGaN composite film; aluminum gallium nitride etching process can effectively control the remaining in the follow-up for the gate contact and in thickness, improve the transistor (MISFET Transistor) dispersion characteristics.
【技术实现步骤摘要】
GaN半导体器件及其制备方法和应用
本专利技术涉及半导体
,特别是涉及一种GaN半导体器件及其制备方法和应用。
技术介绍
电力半导体市场占有整个半导体市场的10%的庞大市场,但之前的电力半导体市场以利用硅的功率器件为主。在过去20年,每隔10年间,硅功率器件提高5~6倍的电力密度,很难期待性能上更进一步的提高。与硅和砷化镓相比,氮化镓具有带隙宽(Eg=3.4eV),在高温下稳定(700℃)等特征。相比硅电力半导体,氮化镓电力半导体具有低温抵抗特性,不仅可以减少随着电力半导体而引起的-电闸的损失,还也可以做到系统消费电力最少化等优点。依靠氮化镓半导体器件小型化,高电压,高速电闸,可以实现低损失,高效率的下一代电力器件,可以满足产业用,电力网,信息通信部门的需求。但是,因为氮化镓电力半导体有着常关问题,期间不能单独使用氮化镓电力半导体,要与硅功率器件一同使用。如此,使用与常开动作有着同样功能的正极结构。常开氮化镓半导体正在开发中,其中氮化镓磊晶层结构包含的氮化镓高电子迁移率晶体管的活用度也逐步提高。为体现利用氮化镓电力器件中的崩溃电压,并且为生长出高品质的氮化镓层;在硅基板上生长出,如,氮化铝等籽晶层后,改善缓冲层的品质起着重要作用。即,活用以硅为基板的氮化铝籽晶层/氮化铝镓缓冲层上形成的未掺杂氮化镓磊晶层/氮化铝镓的二维电子气(2DEG)结构的品质及管理很重要。
技术实现思路
基于此,本专利技术的目的是提供一种GaN半导体器件的结构。具体的技术方案如下:一种GaN半导体器件,包括:基板;设置于所述基板上的晶种层;设置于所述晶种层上的缓冲层;设置于所述缓冲层 ...
【技术保护点】
一种GaN半导体器件,其特征在于,包括:基板;设置于所述基板上的晶种层;设置于所述晶种层上的缓冲层;设置于所述缓冲层上的所述氮化镓层;设置于所述氮化镓层上的AlxGaN1‑xN层;所述AlxGa1‑xN层包括依次层叠于所述氮化镓层上的第一氮化镓铝层、氮化铝层以及第二氮化镓铝层。
【技术特征摘要】
1.一种GaN半导体器件,其特征在于,包括:基板;设置于所述基板上的晶种层;设置于所述晶种层上的缓冲层;设置于所述缓冲层上的所述氮化镓层;设置于所述氮化镓层上的AlxGaN1-xN层;所述AlxGa1-xN层包括依次层叠于所述氮化镓层上的第一氮化镓铝层、氮化铝层以及第二氮化镓铝层。2.根据权利要求1所述的GaN半导体器件,其特征在于,所述第二氮化镓铝层中的铝含量小于等于所述第一氮化镓铝层中的铝含量。3.根据权利要求1或2所述的GaN半导体器件,其特征在于,其中0<x<1。4.根据权利要求1或2所述的GaN半导体器件,其特征在于,所述AlxGa1-xN层的厚度为3nm~50nm。5.根据权利要求1或2所述的GaN半导体器件,其特征在于,所述晶种层的材质为氮化铝、氮化镓或氮化铝镓。6.根据权利要求1或2所述的GaN半导体器件,其特征在于,所述缓冲层...
【专利技术属性】
技术研发人员:金荣善,金峻渊,李尚俊,骆薇薇,孙在亨,
申请(专利权)人:英诺赛科珠海科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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