【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
一般地，本专利技术涉及氮化物基半导体器件。更具体地，本专利技术涉及具有嵌入保护层中的连接凸块的氮化物基半导体器件。
技术介绍
1、近年来，对高电子迁移率晶体管(hemt)的研究越来越盛行，特别是对于高功率开关和高频应用。iii族氮化物基hemt利用具有不同带隙的两种材料之间的异质结界面以形成量子阱状结构，其容纳二维电子气(2deg)区域，以满足高功率/频率器件的需求。除hemt以外，具有异质结构的器件的例子还包括异质结双极晶体管(hbt)，异质结场效应晶体管(hfet)和调制掺杂fet(modfet)。
2、最近，包括hemt的氮化物基半导体器件通过焊料凸块电连接到其它器件，并且施加底部填充胶(或底部填充环氧树脂)以在跌落测试、高温测试和低温测试期间吸收应力。然而，在施加或注入工艺期间，可能在焊料凸块之间或在焊料凸块与氮化物基半导体装置之间的界面周围形成气泡和气隙。这些气泡和气隙与焊料凸块相邻，因此可能发生锡的电迁移。焊料凸块的电迁移会降低耐受电压，从而导致短路，并且影响氮化物基半导体器件的可靠性。因此，需要一种具有适当电连...
【技术保护点】
1.一种氮化物基半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的氮化物基半导体器件，其中所述保护层具有第二抛光平面，且所述第二抛光平面向后朝向所述氮化物基晶粒的所述连接表面，且所述第一抛光平面与所述第二抛光平面共面。
3.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述第一抛光平面和所述第二抛光平面一起形成固化且连续的表面。
4.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中每个连接凸块的一部分从所述保护层突出。
5.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述保护层具有底表...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种氮化物基半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的氮化物基半导体器件，其中所述保护层具有第二抛光平面，且所述第二抛光平面向后朝向所述氮化物基晶粒的所述连接表面，且所述第一抛光平面与所述第二抛光平面共面。
3.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述第一抛光平面和所述第二抛光平面一起形成固化且连续的表面。
4.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中每个连接凸块的一部分从所述保护层突出。
5.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述保护层具有底表面，且所述底表面与所述连接表面平行。
6.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中从所述氮化物基晶粒的所述连接表面测量，所述第一抛光平面高于所述底表面。
7.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，进一步包括多个印刷电路板，其中每个所述印刷电路板将连接到一个所述氮化物基晶粒的所述连接凸块的所述第一抛光平面彼此电连接。
8.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述保护层不连接到所述印刷电路板。
9.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中在每个印刷电路板与所述保护层之间形成间隙。
10.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中在所述保护层与所述连接表面之间没有间隙或气泡。
11.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中在第一方向上，每个所述连接凸块具有第一宽度，在第二方向上，所述连接凸块具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度，所述第一方向与所述第二方向垂直，且所述第二方向与所述连接凸块的所述第一抛光平面的法线平行。
12.根据前述权利要求中任一权利要求所述的氮化物基半导体器件，其中所述保护层形成于所述连接凸块之间。
13.根据前述权利要求中任一...
【专利技术属性】
技术研发人员：马浩华，李思超，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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