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一种氮化物基半导体器件，包括氮化物基半导体晶片，保护层和多个连接凸起。氮化物基半导体晶片包括多个氮化物基晶粒。每个氮化物基晶粒包括连接表面和多个连接焊盘，并且连接焊盘嵌入连接表面中。保护层设置在氮化物基晶粒的连接表面上。连接凸起嵌入保护层中...
该专利属于英诺赛科（珠海）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（珠海）科技有限公司授权不得商用。

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