一种晶体管结构及其制作方法、芯片技术

本发明专利技术提供一种晶体管结构及其制作方法、芯片，该晶体管结构包括：衬底基板，以及沿远离所述衬底基板的方向依次层叠设置于所述衬底基板上的外延缓冲层、异质结膜层和电极层；所述电极层包括漏极；所述衬底基板包括绝缘衬底和导电衬底；所述漏极在所述衬底基板上的正投影与所述绝缘衬底至少部分交叠，在平行于所述衬底基板的方向，所述导电衬底的至少部分位于所述漏极在所述衬底基板上的正投影的周边。本发明专利技术中，通过将低阻衬底的一部分设置为高阻，改变电流路径，使得电流路径延长，进而提高器件的垂直耐压性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体，尤其涉及一种晶体管结构及其制作方法、芯片。

技术介绍

1、氮化镓高电子迁移率晶体管(gan high electron mobility transistor,ganhemt)是横向功率器件，但是硅基氮化镓工艺(gan-on-si)器件的耐压能力除了横向器件结构尺寸外，还受限于外延材料。一般而言，外延材料的耐压能力需要大于器件的耐压能力，外延材料越厚，器件的垂直耐压能力越高，相应的器件耐压能力越高。外延材料的耐压能力由平均击穿场强和总厚度决定，表达式可以写成以下形式bvd＝e×t，一般而言，提高ganhemt的耐压等级，需要提高外延材料的总厚度来满足耐压的需求。

2、但是外延材料的厚度越厚，氮化镓材料的应力越大，外延材料的弯曲bow值越严重，bow值很大时，无法进行工艺流片，需要报废；并且为了抑制氮化镓材料的应力，也需要采用更厚的硅衬底材料来控制形变。并且外延材料的厚度越厚，需要的生长时间越长，产能越低，成本越高。因此，如何在提高外延材料的耐压能力的同时还要保证外延材料的厚度满足要求，这也是制作高压氮化镓高电子迁移率本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的晶体管结构，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的晶体管结构，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的晶体管结构，其特征在于，

6.根据权利要求3所述的晶体管结构，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，

8.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1-7中任一项所述的晶体管结。

9.一种晶体管结构的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1-7中任一项所述的晶...

【技术特征摘要】

1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的晶体管结构，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的晶体管结构，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的晶体管结构，其特征在于，

6.根据权利要求3所述的晶体管结构，其特征在于，

7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝荣晖，黄敬源，司乙川，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：