【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件以及制备方法。
技术介绍
1、现有的高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor, hemt），在制备与场板、源极和漏极对应连接的接触通孔时需要的掩膜版的数量比较多，导致该半导体器件的制备成本很大。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种半导体器件以及制备方法，在制备与场板、源极和漏极对应连接的接触通孔时，以减少所需要的掩膜版的数量，降低该半导体器件的制备成本。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种半导体器件，包括：
3、衬底；
4、外延层，所述外延层位于所述衬底的一侧；
5、栅极结构，所述栅极结构包括掺杂的ⅲ-ⅴ族半导体层和栅极，所述掺杂的ⅲ-ⅴ族半导体层位于所述外延层远离所述衬底的一侧，所述栅极位于所述掺杂的ⅲ-ⅴ族半导体层远离所述外延层的表面；
6、第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述栅极远离所述掺杂的ⅲ-ⅴ族半导体层的一侧；
7、场板结构，所述场板结构包括场板和刻蚀阻挡层，所述场板位于所述第一绝缘层远离所述栅极结构的一侧，所述刻蚀阻挡层位于所述场板远离所述第一绝缘层的一侧；
8、第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述刻蚀阻挡层远离所述场板的一侧；
9、接触通孔结构，所述接触通孔结构位于所述第二绝缘层远离所述场板结构的一侧，所述接触通孔结构包括间隔设置的第一接触通孔、第二接触通孔和第三接触通孔；所述第
10、导电填充层，所述导电填充层位于所述第一接触通孔、所述第二接触通孔和所述第三接触通孔内。
11、可选地，所述第二绝缘层远离所述场板结构的表面为平面；
12、和/或，
13、所述半导体器件还包括场板连接电极、源极和漏极；
14、所述场板连接电极位于所述第二绝缘层远离所述场板结构的表面，且所述场板连接电极在所述衬底的正投影覆盖所述第一接触通孔在所述衬底的正投影的部分或者全部；
15、所述源极位于所述第二绝缘层远离所述场板结构的表面，且所述源极在所述衬底的正投影覆盖所述第二接触通孔在所述衬底的正投影的部分或者全部；
16、所述漏极位于所述第二绝缘层远离所述场板结构的表面，且所述漏极在所述衬底的正投影覆盖所述第三接触通孔在所述衬底的正投影的部分或者全部。
17、可选地，所述外延层包括沟道层和势垒层；
18、所述沟道层位于所述衬底的一侧；
19、所述势垒层位于所述沟道层远离所述衬底的表面；所述势垒层包括掺杂有铝原子的半导体层。
20、可选地，所述场板包括第一子场板和第二子场板，所述刻蚀阻挡层包括第一子刻蚀阻挡层和第二子刻蚀阻挡层；所述场板结构还包括第三绝缘层；
21、所述第一子场板位于所述第一绝缘层远离所述栅极结构的表面；
22、所述第一子刻蚀阻挡层位于所述第一子场板远离所述第一绝缘层的表面；
23、所述第三绝缘层位于所述第一子刻蚀阻挡层远离所述第一子场板的表面；
24、所述第二子场板位于所述第三绝缘层远离所述第一子刻蚀阻挡层的表面；
25、所述第二子刻蚀阻挡层位于所述第二子场板远离所述第三绝缘层的表面；
26、所述第一接触通孔包括间隔设置的第一子接触通孔和第二子接触通孔，所述第一子接触通孔贯穿所述第二绝缘层和所述第三绝缘层，且露出至少部分所述第一子刻蚀阻挡层；所述第二子接触通孔贯穿所述第二绝缘层，且露出至少部分所述第二子刻蚀阻挡层。
27、可选地，所述刻蚀阻挡层包括氮化铝、氧化铝以及氮化镓铝中的至少一种。
28、根据本专利技术的另一方面，提供了一种半导体器件的制备方法，包括：
29、提供衬底；
30、在所述衬底的一侧形成外延层；
31、在所述外延层远离所述衬底的一侧形成掺杂的ⅲ-ⅴ族半导体层；
32、在所述掺杂的ⅲ-ⅴ族半导体层远离所述衬底的表面形成栅极，其中，所述掺杂的ⅲ-ⅴ族半导体层和所述栅极构成栅极结构；
33、在所述栅极远离所述掺杂的ⅲ-ⅴ族半导体层的一侧形成第一绝缘层；
34、在所述第一绝缘层远离所述栅极结构的一侧形成场板结构，其中，所述场板结构包括场板和刻蚀阻挡层，所述场板位于所述第一绝缘层远离所述栅极结构的一侧，所述刻蚀阻挡层位于所述场板远离所述第一绝缘层的一侧；
35、在所述刻蚀阻挡层远离所述场板的一侧形成第二绝缘层；
36、共用同一掩膜版，在所述第二绝缘层远离所述场板结构的一侧通过刻蚀工艺同步形成间隔设置的第一接触通孔、第二接触通孔和第三接触通孔，其中，所述第一接触通孔、所述第二接触通孔和所述第三接触通孔构成接触通孔结构；所述第一接触通孔贯穿所述第二绝缘层，且露出至少部分所述刻蚀阻挡层；所述第二接触通孔贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层，且露出部分所述外延层；所述第三接触通孔贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层，且露出部分所述外延层；
37、在所述第一接触通孔、所述第二接触通孔和所述第三接触通孔内形成导电填充层。
38、可选地，在所述第二绝缘层远离所述场板结构的一侧形成接触通孔结构之前还包括：
39、对所述第二绝缘层进行平坦化处理，以使所述第二绝缘层远离所述场板结构的表面为平面；
40、和/或，
41、在所述第二绝缘层远离所述场板结构的一侧形成接触通孔结构之后还包括：
42、在所述第二绝缘层远离所述场板结构的表面形成场板连接电极，其中，所述场板连接电极在所述衬底的正投影覆盖所述第一接触通孔在所述衬底的正投影的部分或者全部；
43、在所述第二绝缘层远离所述场板结构的表面形成源极，其中，所述源极在所述衬底的正投影覆盖所述第二接触通孔在所述衬底的正投影的部分或者全部；
44、在所述第二绝缘层远离所述场板结构的表面形成漏极，其中，所述漏极在所述衬底的正投影覆盖所述第三接触通孔在所述衬底的正投影的部分或者全部。
45、可选地，在所述衬底的一侧形成外延层包括：
46、在所述衬底的一侧形成沟道层；
47、在所述沟道层远离所述衬底的表面形成势垒层，其中，所述势垒层掺杂有铝原子的半导体层。
48、可选地，所述场板包括第一子场板和第二子场板，所述刻蚀阻挡层包括第一子刻蚀阻挡层和第二子刻蚀阻挡层；所述场板结构还包括第三绝缘层；
49、在所述第一绝缘层远离所述栅极结构的一侧形成场板结构包括：...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述外延层包括沟道层和势垒层；
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述场板包括第一子场板和第二子场板，所述刻蚀阻挡层包括第一子刻蚀阻挡层和第二子刻蚀阻挡层；所述场板结构还包括第三绝缘层；
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述刻蚀阻挡层包括氮化铝、氧化铝以及氮化镓铝中的至少一种。
6.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，
8.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述衬底的一侧形成外延层包括：
9.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述场板包括第一子场板和第二子场板，所述刻蚀阻挡层包括第一子刻蚀阻挡层和第二子刻蚀阻挡层；所述场板结构还包括第三绝缘层；
10.根据权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述外延层包括沟道层和势垒层；
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述场板包括第一子场板和第二子场板，所述刻蚀阻挡层包括第一子刻蚀阻挡层和第二子刻蚀阻挡层；所述场板结构还包括第三绝缘层；
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述刻蚀阻挡层包括氮化铝、氧化铝以及氮化镓铝中的至少一种。
6.一种半导体器件的...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘丹，张翼英，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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