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本发明公开了一种半导体器件及其制备方法。该半导体结构包括：衬底、外延层和栅极结构，栅极结构包括掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导体层和栅极；场板结构，场板结构包括场板和刻蚀阻挡层；接触通孔结构，接触通孔结构位于第二绝缘层远离场板结构的一侧，接触通孔结构包括...
该专利属于英诺赛科（珠海）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（珠海）科技有限公司授权不得商用。

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