一种GaN HEMT器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种GaN HEMT器件及其制作方法。包括：依次层叠设置的衬底、成核层、凹陷调整层、缓冲层、沟道层和势垒层；其中，凹陷调整层和成核层采用的材料相同，成核层的厚度小于或等于第一设定值，第一设定值小于10nm；凹陷调整层的厚度大于或等于100nm，且小于200nm。本发明专利技术能够可以改善GaN HEMT器件的凹陷，减少后续加工工艺的复杂度，防止由于凹形翘曲导致的GaN HEMT器件边缘生成裂纹，同时避免了裂纹过长导致破片的风险。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种gan hemt器件及其制作方法。

技术介绍

1、氮化镓高电子迁移率晶体管（gan high electron mobility transistor, ganhemt），利用具有不同带隙的两种材料之间的异质结界面形成量子阱类结构，量子阱类结构容纳二维电子气体区，从而满足高功率/频率器件的需求。

2、然而，传统氮化镓高电子迁移率晶体管晶圆表面会呈现出凹形翘曲，增加了后续加工工艺的复杂度，并且凹形翘曲会在晶圆边缘生成裂纹，导致裂纹处的芯片失效，裂纹过长甚至有破片风险。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种gan hemt器件及其制作方法，能够改善了gan hemt器件的凹陷，实现了gan hemt器件在降温后趋于平整，减少了后续加工工艺的复杂度，防止由于凹形翘曲导致的gan hemt器件边缘生成裂纹。

2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种gan hemt器件，包括：

3、依次层叠设置的衬底、成核层、凹陷调整层、缓冲层、沟道层和势垒层；<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种GaN HEMT器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的GaN HEMT器件，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的GaN HEMT器件，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的GaN HEMT器件，其特征在于，还包括：

5.一种GaN HEMT器件的制作方法，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于：

【技术特征摘要】

1.一种gan hemt器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的gan hemt器件，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的gan hemt器件，其特征在于：

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【专利技术属性】
技术研发人员：张雪，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：