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本发明公开了一种GaN HEMT器件及其制作方法。包括：依次层叠设置的衬底、成核层、凹陷调整层、缓冲层、沟道层和势垒层；其中，凹陷调整层和成核层采用的材料相同，成核层的厚度小于或等于第一设定值，第一设定值小于10nm；凹陷调整层的厚度大于或...
该专利属于英诺赛科（珠海）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（珠海）科技有限公司授权不得商用。

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