温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种晶体管结构及其制作方法、芯片，该晶体管结构包括：衬底基板，以及沿远离所述衬底基板的方向依次层叠设置于所述衬底基板上的外延缓冲层、异质结膜层和电极层；所述电极层包括漏极；所述衬底基板包括绝缘衬底和导电衬底；所述漏极在所述衬底基板...
该专利属于英诺赛科（珠海）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（珠海）科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。