一种氮化镓多胞功率管结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种氮化镓多胞功率管结构，包括：至少两个氮化镓功率单元，每个氮化镓功率单元包括栅PAD、漏PAD、两个接地背孔以及器件有源部分，其中，器件有源部分包括栅指、源端以及漏端，栅指通过栅馈线连接至栅PAD，源端通过空气桥与两个接地背孔相连，漏端连接至漏PAD，至少两个氮化镓功率单元并排设置，相邻的氮化镓功率单元的相邻接地背孔重叠，栅馈线部分重叠，至少两个氮化镓功率单元形成的多胞功率管结构中，两端的氮化镓功率单元未重叠的栅馈线的延伸端分别连接叉指电容，所述叉指电容另一端连接栅互连PAD，能够消除电感带来的不利影响，提高级间稳定性。

A structure of gallium nitride multi cell power tube

The utility model discloses a gallium nitride multi cell power tube structure, including at least two Gan power units, each power unit comprises a gallium nitride gate PAD, leakage PAD and two vias and active part, which includes the device active gate, source and drain refers to the end to end, connected to the gate through the gate to gate PAD feeder, the source through the air bridge and two vias connected to drain connected to the drain of PAD, at least two gallium nitride power unit are arranged side by side, adjacent Gan power unit of the adjacent vias overlap gate feeder overlap and form at least two Gan multi power unit the cell power tube structure, extended gate feeder Gan power units at both ends of the overlap end are respectively connected to the interdigital capacitor, the interdigital capacitor is connected with the other end of the gate interconnection PAD, can eliminate the inductance The adverse effect is improved and the stability between the stages is improved.

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓多胞功率管结构
本技术涉及化合物半导体器件
，尤其涉及一种氮化镓多胞功率管结构。
技术介绍
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)特有的高电子迁移率、高二维电子气面密度、高击穿电场，使得其具备更高的功率输出密度，被视为下一代射频/微波功率放大器的首选技术。为了满足大功率应用场合(比如民用通信基站)的需求，通常采用将多个氮化镓功率单元并联的方式来获得更大的功率输出。目前，采用上述方式制作的氮化镓多胞功率管的输出功率范围在几十到数百瓦之间，主要应用在6GHz以下。由于增益、散热等方面的限制，实际应用中，并联的氮化镓功率单元并非越多越好，通常为考虑后期应用扩展的灵活性，会在多胞功率管的外围布置栅和漏的互连PAD，这样便可以采用金丝跳线的方式将两个同样的功率管die进行连接，扩展其功率能力。上述方案主要存在以下不足：在两个die之间采用焊接金丝跳线的方式连接，会引入寄生电感和电阻，由于金丝较长，通常电感量可达到几个nH至几十nH。金丝线电阻对于抑制两个die间的奇模振荡存在积极意义，而寄生电感则是不需要的。
技术实现思路
本技术主要解决的技术问题是现有功率管互连采用焊接金丝跳线的方式连本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓多胞功率管结构，其特征在于，包括：至少两个氮化镓功率单元，每个氮化镓功率单元包括栅PAD、漏PAD、两个接地背孔以及器件有源部分，其中，器件有源部分包括栅指、源端以及漏端，栅指通过栅馈线连接至栅PAD，源端通过空气桥与两个接地背孔相连，漏端连接至漏PAD，所述至少两个氮化镓功率单元并排设置，相邻的氮化镓功率单元的相邻接地背孔重叠，栅馈线部分重叠，至少两个氮化镓功率单元形成的多胞功率管结构中，两端的氮化镓功率单元未重叠的栅馈线的延伸端分别连接叉指电容，所述叉指电容另一端连接栅互连PAD。

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓多胞功率管结构，其特征在于，包括：至少两个氮化镓功率单元，每个氮化镓功率单元包括栅PAD、漏PAD、两个接地背孔以及器件有源部分，其中，器件有源部分包括栅指、源端以及漏端，栅指通过栅馈线连接至栅PAD，源端通过空气桥与两个接地背孔相连，漏端连接至漏PAD，所述至少两个氮化镓功率单元并排设置，相邻的氮化镓功率单元的相邻接地背孔重叠，栅馈线部分重叠，至少两个氮化镓功率单元形成的多胞功率管结构中，两端的氮化镓功率单元未重叠的栅馈线的延伸端分别连接叉指电容，所述叉指电容另一端连接栅互连PAD。2.根据权利要求1所述的氮化镓多胞功率管结构，其特征在于，在相邻的氮化镓功率单元的重叠的栅馈线之间设...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔欣，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51