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本实用新型涉及一种高电子迁移率晶体管，包括：衬底、沟道层、势垒层、漏极、栅极、源极以及多个保护层，衬底、沟道层、势垒层由下至上依次堆叠，源极和漏极分别形成在势垒层上表面的左右两端，栅极形成在源极和漏极之间且分别与源极和漏极间隔；多个保护层堆...
该专利属于北京华通芯电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京华通芯电科技有限公司授权不得商用。

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