电源管理电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种电源管理电路，应用于高电子迁移率晶体管，包括：第一输入端，与第一外部电源连接；第二输入端，与第二外部电源连接；第一输出端，分别与第一输入端和高电子迁移率晶体管的栅极连接；第二输出端，与高电子迁移率晶体管的漏极连接；上电时序保护模块，分别与第一输入端、第二输入端和第二输出端连接；上电时序保护模块，用于在第一输入端接收到第一外部电源输入的负电压且第二输入端接收到第二外部电源输入的正电压时，导通第二输入端与第二输出端之间的通路，以将正电压通过第二输出端输出至高电子迁移率晶体管的漏极。通过本实用新型专利技术的技术方案，可以确保高电子迁移率晶体管的正确上电时序。

Power management circuit

The utility model relates to a power management circuit is applied to the high electron mobility transistor includes: first, the input end is connected with the first external power supply; second input, second is connected with the external power supply; the first output terminal are respectively connected with the first input terminal and a high electron mobility transistor gate rate; and second output end. High electron mobility transistor drain connection rate; sequential power protection module is respectively connected with the first input terminal, a second input and second output port; sequential power protection module for positive voltage in the first input end receives first external power input negative voltage and a second input to receive second external power input. When the pathway conduction second input and second output end, with a positive voltage output by second high electron mobility transistor drain rate . By using the technical scheme of the utility model, the correct power on time sequence of the high electron mobility transistor can be ensured.

【技术实现步骤摘要】
电源管理电路
本技术涉及电子
，具体地，涉及一种电源管理电路。
技术介绍
微波功率放大器件是现代无线通信系统的重要部件之一，其广泛地应用在雷达、卫星通信、电子军事以及导航等系统中。近年来，随着半导体技术的迅猛发展，采用第三代宽禁带半导体GaN材料制作的高电子迁移率晶体管(HighElectronMobilityTransistor，HEMT)逐渐成为微波功率放大器件的发展方向。由于GaN具有高击穿电压、较高电子迁移率等特点，使得GaN基高电子迁移率晶体管相比于第一代半导体材料和第二代半导体材料制作的晶体管，具有高功率密度、高效率以及工作频带宽等优势，更加适用于军事以及民用无线通信系统中。由于GaN基高电子迁移率晶体管是一种耗尽型晶体管，其栅极在不加负电压的情况下处于完全导通状态，此时若漏极加正电压会造成漏极电流急速增大而导致GaN基高电子迁移率晶体管烧毁，因此在对GaN基高电子迁移率晶体管进行上电时需遵守一定时序。相关技术中，通常采用分时加电方式对GaN基高电子迁移率晶体管上电，即先对GaN基高电子迁移率晶体管的栅极加负电压，再对GaN基高电子迁移率晶体管的漏极加正电压。但该方式可能存在GaN基高电子迁移率晶体管的栅极短路、漏加栅极负电压等问题而造成GaN基高电子迁移率晶体管烧毁。
技术实现思路
为了实现上述目的，本技术提供一种电源管理电路，应用于高电子迁移率晶体管，该电源管理电路包括：第一输入端，与第一外部电源连接；第二输入端，与第二外部电源连接；第一输出端，分别与所述第一输入端和所述高电子迁移率晶体管的栅极连接；第二输出端，与所述高电子迁移率晶体管的漏极连接；上电时序保护模块，分别与所述第一输入端、所述第二输入端和所述第二输出端连接；所述上电时序保护模块，用于在所述第一输入端接收到所述第一外部电源输入的负电压且所述第二输入端接收到所述第二外部电源输入的正电压时，导通所述第二输入端与所述第二输出端之间的通路，以将所述正电压通过所述第二输出端输出至所述高电子迁移率晶体管的漏极。可选地，所述电源管理电路还包括：过压保护模块，分别与所述第二输入端和所述上电时序保护模块连接，用于在所述正电压超过预设电压阈值时，控制所述上电时序保护模块将所述第二输入端与所述第二输出端之间的通路截止。可选地，所述电源管理电路还包括：第三输入端和电源调制模块；所述第三输入端与外部脉冲信号发生器连接；所述电源调制模块的一端与所述第三输入端连接，所述电源调制模块的另一端分别与所述上电时序保护模块和所述第二输出端连接；所述电源调制模块，用于根据所述第三输入端接收到的所述外部脉冲信号发生器输入的控制信号控制所述上电时序保护模块与所述第二输出端之间的通路的导通或截止。可选地，所述电源管理电路还包括：第一储能模块，分别与所述第一输入端和所述第一输出端连接，用于在所述第一输入端接收到所述第一外部电源输入的负电压时蓄电，在所述第一输入端与所述第一外部电源断开时通过所述第一输出端向所述高电子迁移率晶体管的栅极提供负电压。可选地，所述电源管理电路还包括：第二储能模块，分别与所述上电时序保护模块和所述电源调制模块连接，用于在所述上电时序保护模块导通所述第二输入端与所述第二输出端之间的通路时蓄电，以及在所述电源调制模块导通所述上电时序保护模块与所述第二输出端之间的通路时通过所述第二输出端向所述高电子迁移率晶体管的漏极提供正电压。可选地，所述上电时序保护模块包括：二极管V3、分压电阻R3、分压电阻R5、开关三极管V7、场效应管V9和二极管V5；所述二极管V3的负极与所述第一输入端连接，所述二极管V3的负极分别与所述第一输出端和所述开关三极管V7的发射极连接；所述开关三极管V7的基极接地，所述开关三极管V7的集电极通过所述分压电阻R3与所述第二输入端连接；所述场效应管V9的源极与所述第二输入端连接，所述场效应管V9的漏极与所述第二输出端连接，所述场效应管V9的栅极通过所述分压电阻R5接地；所述二极管V5的正极与所述开关三极管V7的集电极连接，所述二极管V5的负极与所述场效应管V9的栅极连接。可选地，所述第一储能模块包括：储能电容C2；所述储能电容C2的一端分别与所述二极管V3的正极和所述第一输出端连接，所述储能电容C2的另一端接地。可选地，所述过压保护模块包括：稳压块N1、电压比较器N2A、分压电阻R14、分压电阻R1、分压电阻R6、分压电阻R7、分压电阻R4、开关三极管V8和二极管V6；所述稳压块N1的输入端与所述第二输入端连接，所述稳压块N1的输出端与所述电压比较器N2A的正电源端连接；所述分压电阻R14的一端与所述第二输入端连接，所述分压电阻R14的另一端通过所述分压电阻R1接地；所述分压电阻R6的一端与所述电压比较器N2A的正电源端连接，所述分压电阻R6的另一端通过所述分压电阻R7接地；所述电压比较器N2A的第一输入端通过所述分压电阻R1接地，所述电压比较器N2A的第二输入端通过所述分压电阻R7接地，所述电压比较器N2A的输出端与所述开关三极管V8的基极连接；所述开关三极管V8的发射极接地，所述开关三极管V8的集电极通过所述分压电阻R4与所述第二输入端连接；所述二极管V6的正极与所述开关三极管V8的集电极连接，所述二极管V6的负极与所述场效应管V9的栅极连接。可选地，所述电源调制模块包括：分压电阻R10、分压电阻R12、限流电阻R13、场效应管V10、开关三极管V11、开关三极管V12和开关三极管V13；所述开关二极管V12的基极通过所述分压电阻R12与所述第三输入端连接，所述开关三极管V12的集电极通过所述分压电阻R10与所述第二输入端连接，所述开关三极管V12的发射极接地；所述开关三极管V13的基极通过所述分压电阻R12与所述第三输入端连接，以及通过限流电阻R13接地；所述开关三极管V13的集电极与所述场效应管V10的栅极连接；所述开关三极管V13的发射极接地；所述场效应管V10的源极与所述场效应管V9的漏极连接，所述场效应管V10的漏极与所述第二输出端连接；所述开关三极管V11的基极与所述开关三极管V12的集电极连接，所述开关三极管V11的集电极与所述第二输入端连接，所述开关三极管V11的发射极与所述开关三极管V13的集电极连接。可选地，所述第二储能模块包括：储能电容C4；所述储能电容C4的一端分别与所述场效应管V9的漏极和所述场效应管V10的源极连接，所述储能电容的另一端接地。通过本技术实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：可以避免在高电子迁移率晶体管的栅极无负电压或者栅极短路时向高电子迁移率晶体管的漏极加正电压而造成高电子迁移率晶体管烧毁，从而确保了高电子迁移率晶体管的正确上电时序。本技术的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。附图说明附图是用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本技术，但并不构成对本技术的限制。在附图中：图1是高电子迁移率晶体管在不同栅极电压下的I-V输出特性曲线；图2是根据一示例性实施例示出的一种电源管理电路的结构示意图；图3是根据另一示例性实施例示出的一种电源管理电路的结构示意图；图4是根据一示例性实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电源管理电路，应用于高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：第一输入端，与第一外部电源连接；第二输入端，与第二外部电源连接；第一输出端，分别与所述第一输入端和所述高电子迁移率晶体管的栅极连接；第二输出端，与所述高电子迁移率晶体管的漏极连接；上电时序保护模块，分别与所述第一输入端、所述第二输入端和所述第二输出端连接；所述上电时序保护模块，用于在所述第一输入端接收到所述第一外部电源输入的负电压且所述第二输入端接收到所述第二外部电源输入的正电压时，导通所述第二输入端与所述第二输出端之间的通路，以将所述正电压通过所述第二输出端输出至所述高电子迁移率晶体管的漏极。

【技术特征摘要】
1.一种电源管理电路，应用于高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：第一输入端，与第一外部电源连接；第二输入端，与第二外部电源连接；第一输出端，分别与所述第一输入端和所述高电子迁移率晶体管的栅极连接；第二输出端，与所述高电子迁移率晶体管的漏极连接；上电时序保护模块，分别与所述第一输入端、所述第二输入端和所述第二输出端连接；所述上电时序保护模块，用于在所述第一输入端接收到所述第一外部电源输入的负电压且所述第二输入端接收到所述第二外部电源输入的正电压时，导通所述第二输入端与所述第二输出端之间的通路，以将所述正电压通过所述第二输出端输出至所述高电子迁移率晶体管的漏极。2.根据权利要求1所述的电源管理电路，其特征在于，所述电源管理电路还包括：过压保护模块，分别与所述第二输入端和所述上电时序保护模块连接，用于在所述正电压超过预设电压阈值时，控制所述上电时序保护模块将所述第二输入端与所述第二输出端之间的通路截止。3.根据权利要求2所述的电源管理电路，其特征在于，所述电源管理电路还包括：第三输入端和电源调制模块；所述第三输入端与外部脉冲信号发生器连接；所述电源调制模块的一端与所述第三输入端连接，所述电源调制模块的另一端分别与所述上电时序保护模块和所述第二输出端连接；所述电源调制模块，用于根据所述第三输入端接收到的所述外部脉冲信号发生器输入的控制信号控制所述上电时序保护模块与所述第二输出端之间的通路的导通或截止。4.根据权利要求3所述的电源管理电路，其特征在于，所述电源管理电路还包括：第一储能模块，分别与所述第一输入端和所述第一输出端连接，用于在所述第一输入端接收到所述第一外部电源输入的负电压时蓄电，在所述第一输入端与所述第一外部电源断开时通过所述第一输出端向所述高电子迁移率晶体管的栅极提供负电压。5.根据权利要求4所述的电源管理电路，其特征在于，所述电源管理电路还包括：第二储能模块，分别与所述上电时序保护模块和所述电源调制模块连接，用于在所述上电时序保护模块导通所述第二输入端与所述第二输出端之间的通路时蓄电，以及在所述电源调制模块导通所述上电时序保护模块与所述第二输出端之间的通路时通过所述第二输出端向所述高电子迁移率晶体管的漏极提供正电压。6.根据权利要求5所述的电源管理电路，其特征在于，所述上电时序保护模块包括：二极管V3、分压电阻R3、分压电阻R5、开关三极管V7、场效应管V9和二极管V5；所述二极管V3的负极与所述第一输入端连接，所述二极管V3的负极分别与所述第一输出端和所述开关三极管V7的发射极连接；所述开关三极管V7的基极接地，所述开关三极管V7的集电极通过所述分压电阻R3与所述第二输入端连接；所述场效应管V9的源极与所述第二输入端连接，所述场效应管V9...

【专利技术属性】
技术研发人员：马勇，陈容传，多新中，李宝国，
申请(专利权)人：北京华通芯电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11