氮化镓高电子迁移率晶体管的漏极调制电路制造技术

本公开涉及一种氮化镓高电子迁移率晶体管的漏极调制电路。本公开氮化镓高电子迁移率晶体管的漏极调制电路，包括：脉冲驱动电路、开关电路和过冲保护电路；所述脉冲驱动电路用于产生两路电平相反的脉冲信号；所述开关电路用于控制N型金属氧化物半导体NMOS的开通和关断；所述过冲保护电路用于控制所述氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT的漏极调制电路的输出电压。本公开采用NMOS作为电源与GaN HEMT的漏极之间的开关器件，其尺寸较小、价格相对便宜，降低了电路的整体成本与面积，并且解决了在电源电流剧烈变化时产生的巨大过冲，保护了GaN HEMT的漏极调制电路中的NMOS开关器件，提高了电路的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
氮化镓高电子迁移率晶体管的漏极调制电路
本公开涉及电路技术，具体地，涉及一种氮化镓高电子迁移率晶体管的漏极调制电路。
技术介绍
通常氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHighElectronMobilityTransistor，简称：GaNHEMT)的栅极电压需要为负电压，当栅极电压为0V时，GaNHEMT处于强导通状态，如果GaNHEMT的漏极电压仍在工作状态，则会产生大电流，使得GaNHEMT被烧毁。因此当GaNHEMT的栅极电压没有正确加载时，一定要确保GaNHEMT的漏极不会上电。基于此，为了保护GaNHEMT，需要在GaNHEMT的漏极与电源之间设置开关，当栅极电压没有正确加载时，可以通过关断开关保护GaNHEMT。更甚者，在脉冲应用中，除了在脉冲间隙也需要将电源关断，还需要在纳秒级别的时间内将GaNHEMT的漏极电压降至0V。相关技术中，常用的开关是P型金属氧化物半导体(PMetalOxideSemiconductor，简称：PMOS)开关器件。但是PMOS开关器件由于其载流子迁移率较低，为了实现相应的导通能力，PMOS开关器件会占用较大的印制电路板(PrintedCirc本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓高电子迁移率晶体管GaNHEMT的漏极调制电路，其特征在于，包括：脉冲驱动电路、开关电路和过冲保护电路；所述脉冲驱动电路用于产生两路电平相反的脉冲信号；所述开关电路用于控制N型金属氧化物半导体NMOS的开通和关断；所述过冲保护电路用于控制所述GaNHEMT的漏极调制电路的输出电压。

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓高电子迁移率晶体管GaNHEMT的漏极调制电路，其特征在于，包括：脉冲驱动电路、开关电路和过冲保护电路；所述脉冲驱动电路用于产生两路电平相反的脉冲信号；所述开关电路用于控制N型金属氧化物半导体NMOS的开通和关断；所述过冲保护电路用于控制所述GaNHEMT的漏极调制电路的输出电压。2.根据权利要求1所述的GaNHEMT的漏极调制电路，其特征在于，所述开关电路包括：第一输入端口、第二输入端口、第一放大器、第二放大器、第一NMOS及第二NMOS；其中，所述第一输入端口与所述第一放大器的一个引脚连接，所述第一放大器的另一个引脚与所述第一NMOS的栅极连接；所述第二输入端口与所述第二放大器的一个引脚连接，所述第二放大器的另一个引脚与所述第二NMOS的栅极连接；所述第一NMOS和所述第二NMOS串联，所述第一NMOS的漏极连接第一电源，所述第二NMOS的源极接地；所述第一NMOS和所述第二NMOS之间连接有所述GaNHEMT的漏极调制电路的输出端口；所述GaNHEMT的漏极调制电路的输出端口与所述GaNHEMT的漏极连接。3.根据权利要求2所述的GaNHEMT的漏极调...

【专利技术属性】
技术研发人员：多新中，陈容传，李宝国，马勇，
申请(专利权)人：北京华通芯电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11