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本公开涉及一种氮化镓高电子迁移率晶体管的漏极调制电路。本公开氮化镓高电子迁移率晶体管的漏极调制电路，包括：脉冲驱动电路、开关电路和过冲保护电路；所述脉冲驱动电路用于产生两路电平相反的脉冲信号；所述开关电路用于控制N型金属氧化物半导体NMOS...
该专利属于北京华通芯电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京华通芯电科技有限公司授权不得商用。

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