扇出型单裸片封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种扇出型单裸片封装结构，芯片结构，所述芯片结构包括裸芯片及位于所述裸芯片上、并与所述裸芯片进行电连接的接触焊盘；包围所述芯片结构，同时暴露出所述接触焊盘所在表面的塑封层；位于所述塑封层及芯片结构上表面的第一介电层，所述第一介电层通过第一开口暴露出所述接触焊盘；位于所述第一介电层及接触焊盘上表面的重新布线层，所述重新布线层通过第二开口暴露出所述第一介电层；位于所述重新布线层及第一介电层上表面的第二介电层，所述第二介电层通过第三开口暴露出所述重新布线层；以及位于所述第三开口的焊球凸块。通过本实用新型专利技术扇出型单裸片封装结构，解决了现有扇出型封装工艺制造成本高的问题。

Fan out single bare sheet package structure

The utility model provides a fanout single die package structure, chip structure, the chip structure comprises a bare chip and positioned on the bare chip, and electrical contact pads connected with the bare chip; surrounding the chip structure, while exposing the contact pads in plastic seal the surface; located in the plastic seal and chip structure on the surface of the first dielectric layer, wherein the first dielectric layer through the first opening exposing the contact pads; the first dielectric layer and the contact pads on the surface of the re wiring layer, the re wiring layer through the second opening the first dielectric layer; the re wiring layer and the first dielectric layer on the surface of the second dielectric layer, the second dielectric layer is exposed through the third opening of the re wiring layer; and in the third opening of the convex ball Block. The problem of high manufacturing cost of the existing fan out type packaging process is solved through the package structure of the utility model.

【技术实现步骤摘要】
扇出型单裸片封装结构
本技术涉及半导体封装
，特别是涉及一种扇出型单裸片封装结构。
技术介绍
更低成本、更可靠、更快及更高密度的电路是集成电路封装追求的目标。在未来，集成电路封装将通过不断减小最小特征尺寸来提高各种电子元器件的集成密度。目前，先进的封装方法包括：晶圆片级芯片规模封装(WaferLevelChipScalePackaging，WLCSP)，扇出型晶圆级封装(Fan-OutWaferLevelPackage，FOWLP)，倒装芯片(FlipChip)，叠层封装(PackageonPackage，POP)等等。扇出型晶圆级封装是一种晶圆级加工的嵌入式芯片封装方法，是目前一种输入/输出端口(I/O)较多、集成灵活性较好的先进封装方法之一。扇出型晶圆级封装相较于常规的晶圆级封装具有其独特的优点：①I/O间距灵活，不依赖于芯片尺寸；②只使用有效裸片(die)，产品良率提高；③具有灵活的3D封装路径，即可以在顶部形成任意阵列的图形；④具有较好的电性能及热性能；⑤高频应用；⑥容易在重新布线层(RDL)中实现高密度布线。目前，扇出型晶圆级封装方法一般为：提供载体，在载体表面形成粘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种扇出型单裸片封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：芯片结构，所述芯片结构包括裸芯片及位于所述裸芯片上、并与所述裸芯片进行电连接的接触焊盘；包围所述芯片结构，同时暴露出所述接触焊盘所在表面的塑封层；位于所述塑封层及芯片结构上表面的第一介电层，所述第一介电层通过第一开口暴露出所述接触焊盘；位于所述第一介电层及接触焊盘上表面的重新布线层，所述重新布线层通过第二开口暴露出所述第一介电层；位于所述重新布线层及第一介电层上表面的第二介电层，所述第二介电层通过第三开口暴露出所述重新布线层；以及位于所述第三开口的焊球凸块。

【技术特征摘要】
1.一种扇出型单裸片封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：芯片结构，所述芯片结构包括裸芯片及位于所述裸芯片上、并与所述裸芯片进行电连接的接触焊盘；包围所述芯片结构，同时暴露出所述接触焊盘所在表面的塑封层；位于所述塑封层及芯片结构上表面的第一介电层，所述第一介电层通过第一开口暴露出所述接触焊盘；位于所述第一介电层及接触焊盘上表面的重新布线层，所述重新布线层通过第二开口暴露出所述第一介电层；位于所述重新布线层及第一介电层上表面的第二介电层，所述第二介电层通过第三开口暴露出所述重新布线层；以及位于所述第三开口的焊球凸块。2.根据权利要求1所述的扇出型单裸片封装结构，其特征在于，所述重新布线层包括：位于所述第一介电层及接触焊盘上表面的绝缘层，所述绝缘层上设有暴露出所述接触焊盘的开口；以及位于所述绝缘层及接触焊盘上表面的金属层。3.根据权利要求1所述的扇出型单裸片封装结构，其特征在于，所述重新布线层包括：位于所述第一介电层及接触焊盘表面、由交替的绝缘层和金属层构成的叠层结构，所述叠层结构的顶层为金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦亨，林正忠，何志宏，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32