半导体装置的制造方法制造方法及图纸

具有下述工序：准备半导体基板的工序(S01)，该半导体基板具有第1主面和位于第1主面的相反侧的第2主面；在第1主面之上形成第1电极的工序(S02)；在第1电极之上形成焊料接合用金属膜(第1焊料接合用金属膜)的工序(S03)；在第1焊料接合用金属膜之上形成牺牲膜的工序(S04)；在形成牺牲膜之后对第2主面进行磨削的工序(S06)；在进行磨削的工序(S06)之后进行热处理的工序(在第3主面侧形成元件构造的工序(S07))；在进行热处理的工序(S07)之后将牺牲膜去除的工序(S10)；以及将第1焊料接合用金属膜与第1外部电极进行焊料接合的工序(S12)。

Manufacturing methods of semiconductor devices

Has the following procedures: preparing a semiconductor substrate process (S01), the second main surface of the semiconductor substrate having first main surfaces and is located on the first main surface opposite side; the first electrode is formed on the main surface of the above first processes (S02); first electrodes on the above metal film solder (metal film first solder) the process (S03); bonding with metal film formed on the sacrificial film process in first solder (S04); grinding on the second main surface after the formation of the sacrificial film process (S06); during the grinding process (S06) after heat treatment process (element formed on the third main surface side. Step (S07)); in the process of heat treatment (S07) after the sacrificial film removal process (S10); and the first solder solder bonding process of metal film and the first external electrode (S12).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法
本专利技术涉及一种半导体装置的制造方法，特别是涉及半导体元件与外部电极进行了焊料接合的半导体装置的制造方法。
技术介绍
已知有形成于半导体元件的电极与外部电极进行了焊料接合的半导体装置(例如参照日本特开2008-182074号公报)。通过利用焊料将半导体元件的电极与外部电极直接接合，从而能够降低电阻，实现可进行大电流通电的配线连接。另外，已知有一种半导体装置，该半导体装置在进行焊料接合的半导体元件的电极之上形成有用于抑制氧化膜的形成的防氧化膜。日本特开2010-272711号公报中公开了一种半导体器件，该半导体器件在半导体元件的电极之上形成有将导电体层和防氧化层层叠而成的附加电极，其中，该导电体层是作为焊料接合用金属膜而由镍(Ni)构成的，该防氧化层是作为防止该导体层的氧化的膜而由金(Au)或银(Ag)等构成的。专利文献1：日本特开2008-182074号公报专利文献2：日本特开2010-272711号公报
技术实现思路
然而，现有的防氧化膜如上所述由Au、Ag等昂贵的贵金属材料构成，存在半导体装置的制造成本提高这样的问题。另外，对于功率半导体装置等而言，为了改善通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其具有下述工序：准备半导体基板的工序，该半导体基板具有第1主面和位于所述第1主面的相反侧的第2主面；在所述第1主面之上形成第1电极的工序；在所述第1电极之上形成焊料接合用金属膜的工序；在所述焊料接合用金属膜之上形成牺牲膜的工序；在形成所述牺牲膜之后对所述第2主面进行磨削的工序；在所述进行磨削的工序之后进行热处理的工序；在所述进行热处理的工序之后将所述牺牲膜去除的工序；以及将所述焊料接合用金属膜与外部电极进行焊料接合的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法，其具有下述工序：准备半导体基板的工序，该半导体基板具有第1主面和位于所述第1主面的相反侧的第2主面；在所述第1主面之上形成第1电极的工序；在所述第1电极之上形成焊料接合用金属膜的工序；在所述焊料接合用金属膜之上形成牺牲膜的工序；在形成所述牺牲膜之后对所述第2主面进行磨削的工序；在所述进行磨削的工序之后进行热处理的工序；在所述进行热处理的工序之后将所述牺牲膜去除的工序；以及将所述焊料接合用金属膜与外部电极进行焊料接合的工序。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，构成所述牺牲膜的材料是与所述焊料接合用金属膜相比能够通过蚀刻选择性地去除的材料。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，构成所述牺牲膜的材料包含下述元素，即，原子序数小于或等于22且不包含碱金属、碱土类金属。4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，构成所述牺牲膜的材料包含钛以及铝中的至少任...

【专利技术属性】
技术研发人员：中田洋辅，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP