嵌入式芯片封装及用于制造嵌入式芯片封装的方法技术

本发明专利技术涉及嵌入式芯片封装及用于制造嵌入式芯片封装的方法。提供了用于制造嵌入式芯片封装的方法。所述方法可以包括：在衬底上方形成导电线；将所述衬底放置得紧邻包括芯片的芯片装置，所述芯片包括一个或多个接触焊盘，其中一个或多个导电线被布置为接近于所述芯片的侧壁；以及在所述芯片装置上方形成一个或多个电互连，以将至少一个导电线电连接至至少一个接触焊盘。

【技术实现步骤摘要】
嵌入式芯片封装及用于制造嵌入式芯片封装的方法对相关申请的交叉引用本申请要求2012年10月19日递交并通过引用以其整体合并在本文中的欧洲专利申请系列号12007249.1的优先权。
各种实施例一般地涉及嵌入式芯片封装及用于制造嵌入式芯片封装的方法。
技术介绍
当前存在用于生产穿过密封剂的通孔(TEV)的有限数量的方式。在一些情况中，使用嵌入级的简单工艺序列，预制通孔棒102可以被嵌入在密封剂104中，像如图1所示的管芯。如图1所示，嵌入式通孔棒102的纺织玻璃纤维是可视的。这些通孔棒102可以是昂贵的，并且另外因为可以使用印刷电路板(PCB)技术制造这些通孔棒102，所以这些通孔棒102具有非常有限的通孔密度。可以在脱机PCB生产线中简单地插塞通孔棒102。因此，典型的通孔间距可以在几百微米的范围中，例如大约300μm。另外，可以存在有限程度的设计自由，因为通孔不可以位于所有地方。另外，通常仅可以布置非常有限数量的通孔棒，例如每侧仅一个通孔棒。TEV还可以通过形成孔来形成，即通过激光钻孔。这后面可以是种子层沉积和在孔中电镀。具有大约250μm厚度的晶片可能难于处理。虽然通孔可以位于(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造嵌入式芯片封装的方法，所述方法包括：在衬底上方形成导电线的第一层以形成预制通孔装置；在垂直于导电线的方向上切割所述预制通孔装置；将所切割的预制通孔装置垂直地放置得紧邻包括芯片的芯片装置的第一侧，所述芯片包括芯片底侧面和芯片顶侧面，所述芯片顶侧面包括一个或多个接触焊盘，其中导电线中的一个或多个被布置为接近于所述芯片的第一侧壁，并且其中所切割的预制通孔装置被转动使得所述导电线面对所述芯片的第一侧壁；以及在将所切割的预制通孔装置放置得紧邻芯片装置之后，基本上垂直于导电线以及基本上平行于所述芯片的顶侧面地在所述芯片装置上方形成一个或多个电互连，以将至少一个导电线电连接至接触焊盘中的至少一个...

【技术特征摘要】
2012.10.19 EP 12007249.1;2013.01.08 US 13/7360971.一种用于制造嵌入式芯片封装的方法，所述方法包括：在衬底上方形成导电线的第一层以形成预制通孔装置；在垂直于导电线的方向上切割所述预制通孔装置；将所切割的预制通孔装置垂直地放置得紧邻包括芯片的芯片装置的第一侧，所述芯片包括芯片底侧面和芯片顶侧面，所述芯片顶侧面包括一个或多个接触焊盘，其中导电线中的一个或多个被布置为接近于所述芯片的第一侧壁，并且其中所切割的预制通孔装置被转动使得所述导电线面对所述芯片的第一侧壁；以及在将所切割的预制通孔装置放置得紧邻芯片装置之后，基本上垂直于导电线以及基本上平行于所述芯片的顶侧面地在所述芯片装置上方形成一个或多个电互连，以将至少一个导电线电连接至接触焊盘中的至少一个。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述预制通孔装置上方形成电绝缘材料并且至少部分围绕所述导电线的第一层和/或第二层中的每一个。3.根据权利要求1所述的方法，其中使用平面沉积将所述导电线的第一层形成在所述衬底上方。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电线的第一层和/或第二层是基本彼此平行和相对彼此成一角度布置中的一种。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电线中的每一个包括金属。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括来自以下材料组中的至少一种材料，所述材料组包含：模制复合物、层压材料、陶瓷、半导体、液晶聚合物和隔离的金属衬底。7.根据权利要求2所述的方法，其中所述电绝缘材料包括来自以下材料组中的至少一种材料，所述材料组包含：模制复合物；层压材料；热固性塑料；热塑性塑料；陶瓷；以及它们的组合。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述芯片包括一个或多个芯片侧壁，并且其中所述一个或多个接触焊盘形成在芯片顶侧面和芯片底侧面的至少一个上方。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述导电线的第一层基本上平行于芯片侧壁。10.根据权利要求8所述的方法，其中所述导电线的第一层被...

【专利技术属性】
技术研发人员：G比尔，W哈特纳，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE