连接结构体的制造方法、导电性粒子、导电膜及连接结构体技术

本发明专利技术提供一种可以降低电极间的连接电阻的连接结构体的制造方法。本发明专利技术的连接结构体的制造方法包括：使用含有在130℃下粘度为50Pa·s以上且1000Pa·s以下的粘合剂树脂和导电性粒子的导电膜，使用表面上具有第一电极的第一连接对象部件，且使用表面上具有第二电极的第二连接对象部件，将所述导电膜配置于所述第一连接对象部件和所述第二连接对象部件之间并使所述第一电极和所述第二电极对置，从而得到叠层体的工序；对所述叠层体进行加热及加压，从而进行热压合，由此得到连接结构体的工序，得到下述连接结构体：在得到的连接结构体中，所述导电性粒子压入至所述第一电极中而形成的深度为5nm以上的压痕的数目，在所述第一电极表面积每500μm

Manufacturing methods of connecting structures, conductive particles, conductive films and connecting structures

The invention provides a method for manufacturing a connection structure that can reduce the connection resistance between the electrodes. Includes a method of making a connection structure of the invention: containing in viscosity at 130 DEG C of conductive film adhesive resin - s and 1000Pa - 50Pa above and below the s of the conductive particles, the use of the first connecting part has a first electrode on the surface of the object, and has second electrodes on the surface of the second connecting object parts. The conductive film is arranged on the first connecting object component and the second connecting parts between the object and the first electrode and the second electrode opposed, to obtain a laminate of the process; laminate is heated and pressurized, and hot pressing, thereby connecting structure the process, get the following connection structure: in the body connection structure, the number of the conductive particles into the first electrode and the formation depth of indentation above 5nm, The surface area of the first electrode is 500 mu m

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】连接结构体的制造方法、导电性粒子、导电膜及连接结构体
本专利技术涉及利用导电性粒子对电极间进行电连接的连接结构体的制造方法。本专利技术还涉及电极间的电连接所使用的导电性粒子及导电膜。另外，本专利技术还涉及使用了含有所述导电性粒子的导电膜的连接结构体。
技术介绍
各向异性导电糊剂及各向异性导电膜等各向异性导电材料已广为人知。就所述各向异性导电材料而言，在粘合剂树脂中分散有多个导电性粒子。为了获得各种连接结构体，所述各向异性导电材料已被用于例如挠性印刷基板与玻璃基板的连接(FOG(FilmonGlass))，半导体芯片与挠性印刷基板的连接(COF(ChiponFilm))，半导体芯片与玻璃基板的连接(COG(ChiponGlass))，以及挠性印刷基板与玻璃环氧基板的连接(FOB(FilmonBoard))等。在利用所述各向异性导电材料对例如半导体芯片的电极和玻璃基板的电极进行电连接时，在玻璃基板上配置含有导电性粒子的各向异性导电材料。接着，层叠半导体芯片，并进行加热及加压。由此，使各向异性导电材料固化，经由导电性粒子对电极间进行电连接，得到连接结构体。作为所述导电性粒子的一个实例，下述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种连接结构体的制造方法，其包括：使用含有在130℃下粘度为50Pa·s以上且1000Pa·s以下的粘合剂树脂和导电性粒子的导电膜，使用表面上具有第一电极的第一连接对象部件，且使用表面上具有第二电极的第二连接对象部件，将所述导电膜配置于所述第一连接对象部件和所述第二连接对象部件之间并使所述第一电极和所述第二电极对置，从而得到叠层体的工序；对所述叠层体进行加热及加压，从而进行热压合，由此得到连接结构体的工序，得到下述连接结构体：在得到的连接结构体中，所述导电性粒子压入至所述第一电极中而形成的深度为5nm以上的压痕的数目，在所述第一电极表面积每500μm

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.25 JP 2015-188014;2015.09.25 JP 2015-188011.一种连接结构体的制造方法，其包括：使用含有在130℃下粘度为50Pa·s以上且1000Pa·s以下的粘合剂树脂和导电性粒子的导电膜，使用表面上具有第一电极的第一连接对象部件，且使用表面上具有第二电极的第二连接对象部件，将所述导电膜配置于所述第一连接对象部件和所述第二连接对象部件之间并使所述第一电极和所述第二电极对置，从而得到叠层体的工序；对所述叠层体进行加热及加压，从而进行热压合，由此得到连接结构体的工序，得到下述连接结构体：在得到的连接结构体中，所述导电性粒子压入至所述第一电极中而形成的深度为5nm以上的压痕的数目，在所述第一电极表面积每500μm2中为5个以上。2.如权利要求1所述的连接结构体的制造方法，其中，所述第一电极含有Ti或Al，且具有1μm以上、2μm以下的厚度。3.如权利要求1所述的连接结构体的制造方法，其中，所述第一电极是从内表面向外表面依次层叠厚度为0.1μm以上0.5μm以下的TiO电极部分、厚度为0.5μm以上2.0μm以下的AlTi电极部分、和厚度为0.05μm以上0.2μm以下的IZO电极部分而成的复合电极；或者，所述第一电极是从内表面向外表面依次层叠厚度为0.1μm以上0.5μm以下的Mo电极部分、厚度为0.5μm以上2.0μm以下的Al-Nd电极部分、和厚度为0.05μm以上0.2μm以下的ITO电极部分而成的复合电极。4.如权利要求3所述的连接结构体的制造方法，其中，所述第一电极是从内表面向外表面依次层叠厚度为0.1μm以上0.5μm以下的TiO电极部分、厚度为0.5μm以上2.0μm以下的AlTi电极部分、和厚度为0.05μm以上0.2μm以下的IZO电极部分而成的复合电极。5.如权利要求3所述的连接结构体的制造方法，其中，所述第一电极是从内表面向外表面依次层叠厚度为0.1μm以上0.5μm以下的Mo电极部分、厚度为0.5μm以上2.0μm以下的Al-Nd电极部分、和厚度为0.05μm以上0.2μm以下的ITO电极部分而成的复合电极。6.如权利要求1～5中任一项所述的连接结构体的制造方法，其中，得到所述第一电极和所述第二电极的连接电阻为1.5Ω以下的连接结构体。7.一种导电性粒子，其是...

【专利技术属性】
技术研发人员：真原茂雄，王晓舸，土桥悠人，笹平昌男，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP