一种银离子掺杂高离子导电性透明玻璃的制备制造技术

本发明专利技术公开了一种银离子掺杂高离子导电性透明玻璃的制备。主要可以应用在半导体、能源材料、电子信息材料等领域，如全固体电池和大容量光存储器件。本发明专利技术以Ge-Ga-S-AgI玻璃为基质，外掺适量的单质Ag。制备方法包括(a)原料的选取，(b)玻璃熔制，(c)样品的加工等三个步骤。所得到加工后的玻璃做透过光谱测试和阻抗测试。结果表明，该玻璃成玻性能优良，物理化学稳定性好，且具备很高的光学透明性，在室温下的离子电导率接近～10-4S·cm-1级别。

【技术实现步骤摘要】
—种银离子掺杂高离子导电性透明玻璃的制备
本次专利技术超高银离子含量透明导电玻璃可以应用在半导体、能源材料、电子信息材料等领域，如全固体电池和大容量光存储器件。
技术介绍
本专利技术主要涉及到两方面的问题，即固体电解质和光存储器件的制备。目前普遍使用的电解质体系为水溶液体系，但这种体系存在着漏液问题，因而必需使用特殊的封口或制备技术。相比而言，固体电解质将更为稳定，在某 些固体体系中，“搁置寿命”已经被推断出为十年或者更长的时间，而且固体电解质也不存在漏液问题。固体电解质材料的选择主要集中在氧化物或者硫化物晶体和玻璃两大类。相比于晶体材料，玻璃具有制备工艺简单，易于成型和加工等优点，因而受到更为广泛的关注。如何提高玻璃中银离子的含量是本次研究解决的问题之一。另一方面，Ag离子掺杂的玻璃具有特殊的光敏特性，如激光辐照后可以在玻璃表面析出尺寸小于IOOnm的银纳米颗粒，利用这种特性可以制备高容量的光学信号存储器件。但是银离子含量较高的玻璃往往容易析晶从而失去光学透明性，如何在玻璃中引入大量的银离子同时保证其良好的光学透光性也是本次专利技术解决的问题之。我们通常将室温下离子电导率大于ICT本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种银离子掺杂高离子导电性透明玻璃的制备，由Ag掺杂的Ge？Ga？S？AgI玻璃，其组成为(mol％)：？(100？2y)GeS2？yGa2S3？yAgI？xAg(y＝0～40)(x＝1～30)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：任晶，严祁祺，张然，陈国荣，
申请(专利权)人：华东理工大学，
类型：发明
国别省市：