电力用半导体装置的制造方法以及电力用半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供防止导体图案以及绝缘层破损且具有比通常的电极端子与导体图案的接合高的接合强度的可靠性高的电力用半导体装置的制造方法以及电力用半导体装置。包括：将电极端子(3)以接合面(3j)的中央部相接的方式载置于在处于陶瓷基板(5)的电路面侧的导体图案(52a)上设置的突起(52c)的前端部的工序；以及利用超声波焊头(50)对电极端子(3)的接合面(3j)的背面(3z)进行加压并进行超声波振动而与导体图案(52a)接合的工序，由此防止导体图案以及绝缘层破损。

Manufacturing methods of semiconductor devices for electric power and semiconductor devices for electric power

The purpose of the invention is to provide a manufacturing method of electric power semiconductor device, which prevents the conductor pattern and insulation layer from breaking, and has higher reliability of bonding strength than the common electrode terminal and conductor pattern, and the semiconductor device for power. \u5305\u62ec\uff1a\u5c06\u7535\u6781\u7aef\u5b50(3)\u4ee5\u63a5\u5408\u9762(3j)\u7684\u4e2d\u592e\u90e8\u76f8\u63a5\u7684\u65b9\u5f0f\u8f7d\u7f6e\u4e8e\u5728\u5904\u4e8e\u9676\u74f7\u57fa\u677f(5)\u7684\u7535\u8def\u9762\u4fa7\u7684\u5bfc\u4f53\u56fe\u6848(52a)\u4e0a\u8bbe\u7f6e\u7684\u7a81\u8d77(52c)\u7684\u524d\u7aef\u90e8\u7684\u5de5\u5e8f\uff1b\u4ee5\u53ca\u5229\u7528\u8d85\u58f0\u6ce2\u710a\u5934(50)\u5bf9\u7535\u6781\u7aef\u5b50(3)\u7684\u63a5\u5408\u9762(3j)\u7684\u80cc\u9762(3z)\u8fdb\u884c\u52a0\u538b\u5e76\u8fdb\u884c\u8d85\u58f0\u6ce2\u632f\u52a8\u800c\u4e0e\u5bfc\u4f53\u56fe\u6848(52a)\u63a5\u5408\u7684\u5de5\u5e8f\uff0c\u7531\u6b64\u9632\u6b62\u5bfc\u4f53\u56fe\u6848\u4ee5\u53ca\u7edd\u7f18\u5c42\u7834\u635f\u3002

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电力用半导体装置的制造方法以及电力用半导体装置
本专利技术涉及将电极端子接合于半导体元件等的电力用半导体装置的制造方法以及电力用半导体装置，特别涉及通过超声波接合而接合的电力用半导体装置的制造方法以及电力用半导体装置。
技术介绍
在现有的电力用半导体装置中、特别是在大电流的电力用半导体装置中，为了高效地流过大电流，需要大面积地接合与外部电路连接的电极端子，所以将焊料接合用于电极端子的接合(例如参照专利文献1)。但是，随着使用电力用半导体装置的温度环境变得严格，现有的焊料接合可能无法满足所要求的可靠性。另外，在现有的焊料接合中，在电力用半导体装置构成为将在陶瓷板的两面形成有导体图案的陶瓷基板焊料接合于基板的情况下，由于对电极端子进行焊料接合时的加热，接合基板与陶瓷基板的焊料有可能重新熔融。因此，作为接合电极端子的焊料，不能使用熔点与接合基板与陶瓷基板的焊料接近的焊料，存在需要多种焊料而工艺变复杂的问题。作为解决这些问题的方法，有对陶瓷基板上的导体图案超声波接合电极端子的方法。由于超声波接合是固相接合而无需加热工序，所以在接合电极端子时不会使接合基板与陶瓷基板的焊料重新熔融，能够大面积地本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电力用半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：将处于电极端子的背面侧的接合面的一部分以与在电极层上设置的具有比所述电极端子低的硬度的突起的前端部相接的方式载置的工序；以及由于从所述电极端子的表面侧的基于超声波焊头的加压和超声波振动而所述突起变形，从而将所述电极端子与所述电极层接合的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.11 JP 2015-1179621.一种电力用半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：将处于电极端子的背面侧的接合面的一部分以与在电极层上设置的具有比所述电极端子低的硬度的突起的前端部相接的方式载置的工序；以及由于从所述电极端子的表面侧的基于超声波焊头的加压和超声波振动而所述突起变形，从而将所述电极端子与所述电极层接合的工序。2.根据权利要求1所述的电力用半导体装置的制造方法，其特征在于，所述电极层是绝缘基板上的导电图案。3.根据权利要求1所述的电力用半导体装置的制造方法，其特征在于，所述电极层是电力用半导体元件上的表面电极。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的电力用半导体装置的制造方法，其特征在于，所述突起由与所述电极层不同的材料构成。5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：米田裕，藤野纯司，重和良，广中阳一，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP