一种抗大电压氧化硅阻变薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种抗大电压氧化硅阻变薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)以碳纳米管粉末为溶质，无水乙醇为溶剂，制备浓度为10

A preparation method for high voltage silicon oxide resistive film

The invention discloses a preparation method for a large voltage resistant silicon oxide resistance film, which comprises the following steps: (1) using carbon nanotube powder as solute and absolute ethanol as solvent, the concentration is 10.

【技术实现步骤摘要】
一种抗大电压氧化硅阻变薄膜的制备方法
本专利技术属于储存器薄膜材料制备
，具体涉及一种抗大电压氧化硅阻变薄膜的制备方法。
技术介绍
人们对下一代新型非挥发性存储器进行了大量的研究，当前的研究对象主要包括磁存储器(MRAM)、铁电存储器(FeRAM)、相变存储器(PRAM)和阻变存储器(RRAM)。其中磁存储器、铁电存储器和相变存储器在尺寸进一步缩小方面都存在较大困难，发展空间有限；而阻变存储器因其具有相当可观的微缩化前景，在近些年已引起了广泛的研发热潮。二元氧化物如SiO2，TiO2，ZrO2和HfO2等，已被作为阻变存储器的最有希望材料研究，但是在阻变存储器的电阻开关，普遍存在导电细丝不稳定、耐压差的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种抗大电压氧化硅阻变薄膜的制备方法，解决阻变存储器的电阻开关，存在导电细丝不稳定、耐压差的问题。本专利技术所采用的技术方案是，一种抗大电压氧化硅阻变薄膜的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1，以碳纳米管粉末为溶质，无水乙醇为溶剂，制备浓度为10-5g/ml的碳纳米管溶液，并对制备出的碳纳米管溶液进行超声清洗；步骤2，按照1:1-20:0本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗大电压氧化硅阻变薄膜的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1，以碳纳米管粉末为溶质，无水乙醇为溶剂，制备浓度为10

【技术特征摘要】
1.一种抗大电压氧化硅阻变薄膜的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1，以碳纳米管粉末为溶质，无水乙醇为溶剂，制备浓度为10-5g/ml的碳纳米管溶液，并对制备出的碳纳米管溶液进行超声清洗；步骤2，按照1:1-20:0.01-0.05：0.5-1的质量比分别称取正硅酸乙酯、无水乙醇、蒸馏水和稀盐酸，将称取的正硅酸乙酯、无水乙醇、蒸馏水和稀盐酸混合均匀后，得到氧化硅溶液；步骤3，按照0.5-1：20的体积比分别量取经步骤1得到的碳纳米管溶液和经步骤2得到的氧化硅溶液，将量取后的碳纳米管溶液和氧化硅溶液放入密封容器中搅拌均匀，得到掺杂碳纳米管的氧化硅溶液；步骤4，选取基板，将基板置于经步骤3得到的掺杂碳纳米管的氧化硅溶液中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李颖，赵高扬，朱瑞，张虎，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61