具有高耐久性的相变存储器的集成电路及其制造方法技术

一种具有高耐久性的相变存储器的集成电路及其制造方法。本发明专利技术公开一种交叉点阵列中的存储单元，其具有较佳的耐久性。各存储单元设置于第一导体及第二导体之间，包括开关与相变材料柱体串联。此柱体在接近第二导体的一端具有富碲材料，而在接近第一导体的另一端具有富锑材料，其中电流方向自第一导体流向第二导体。

Integrated circuit with high durability phase change memory and its manufacturing method

An integrated circuit with a high durability phase change memory and a manufacturing method. The invention discloses a storage unit in a cross - point array, which has better durability. Each storage unit is arranged between the first conductor and the two conductor, including the switch and the phase change material column. The cylinder is rich in tellurium near the second conductor, and near the first conductor has antimony rich material. The current direction flows from the first conductor to the second conductor.

【技术实现步骤摘要】
具有高耐久性的相变存储器的集成电路及其制造方法
本专利技术涉及一种集成电路的存储器，且特别是涉及一种包括使用相变材料(phasechangematerial)的集成电路的存储器及其制造方法。
技术介绍
许多三维存储器(three-dimensionalmemory，3Dmemory)技术采用相变材料，也有提出使用其他可编程电阻材料(programmableresistancematerial)来达到高密度存储器。举例来说，Li等人发表于2004年9月的IEEETRANSACTIONSONDEVICEANDMATERIALSRELIABILITY第4卷第3期的“EvaluationofSiO2Antifuseina3D-OTPMemory”，描述了如同存储单元一般排列的多晶硅二极管及反熔丝(antifuse)。Sasago等人发表于2009年超大规模集成电路研讨会科技论文文摘(SymposiumonVLSITechnologyDigestofTechnicalPapers)第24至25页的“Cross-PointPhaseChangeMemorywith4F2CellSizeDrive本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路，包括：多个第一导体设置于一第一图案化层之中，及多个第二导体设置于一第二图案化层之中；以及多个存储单元的一阵列，设置于所述第一导体及所述第二导体之间，所述阵列中的各所述存储单元包括：一开关，与一相变材料的一本体串联，所述本体具有一有源区，所述有源区包括一第一元素及一第二元素；一第一缓冲层，串联设置于所述有源区与所述开关之间，所述第一缓冲层的所述第一元素浓度高于所述有源区的所述第一元素浓度；及一第二缓冲层，串联设置于所述有源区与所述第一导体及所述第二导体之中远离所述开关设置之一者之间，所述第二缓冲层的所述第二元素浓度高于所述有源区的所述第二元素浓度。

【技术特征摘要】
2016.07.11 US 15/207,0221.一种集成电路，包括：多个第一导体设置于一第一图案化层之中，及多个第二导体设置于一第二图案化层之中；以及多个存储单元的一阵列，设置于所述第一导体及所述第二导体之间，所述阵列中的各所述存储单元包括：一开关，与一相变材料的一本体串联，所述本体具有一有源区，所述有源区包括一第一元素及一第二元素；一第一缓冲层，串联设置于所述有源区与所述开关之间，所述第一缓冲层的所述第一元素浓度高于所述有源区的所述第一元素浓度；及一第二缓冲层，串联设置于所述有源区与所述第一导体及所述第二导体之中远离所述开关设置之一者之间，所述第二缓冲层的所述第二元素浓度高于所述有源区的所述第二元素浓度。2.如权利要求1所述的集成电路，其中所述第一元素及所述第二元素之一为锑，所述第一元素及所述第二元素的另一个为碲。3.如权利要求1所述的集成电路，其中所述第一元素及所述第二元素之一为锑，所述第一元素及所述第二元素的另一个为碲，且所述相变材料包括GaxSbyTez。4.如权利要求1所述的集成电路，其中所述第一缓冲层包括富碲的GexSbyTez，且所述第一元素为碲，以及所述第二缓冲层包括富锑的GexSbyTez，且所述第二元素为锑。5.如权利要求1所述的集成电路，其中所述相变材料的所述本体由所述第一图案化层及所述第二图案化层之间的一介电填充材料所局限。6.如权利要求1所述的集成电路，其中所述第一导体及所述第二导体以一交叉...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙翔澜，金完起，马修·必实凯，林仲汉，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，国际商用机器公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71