半导体元件及其制作方法技术
Semiconductor components and their fabrication methods
The invention discloses a semiconductor element and a method for making a semiconductor device. The fabrication method comprises the following steps: first providing a base, and then forming a first dielectric layer on the substrate, in which the first dielectric layer has a first conductor. Then a second dielectric layer is formed on the first dielectric layer to remove part of the second dielectric layer to form a contact hole. Then a transverse etching process is made to expand the contact hole to form a funnel shaped opening. Then a metal layer is formed and the funnel-shaped opening is filled, then the metal layer is flattened to form a second conductor.
【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制作方法
本专利技术涉及一种制作半导体元件的方法，尤其是涉及一种制作接触插塞电熔丝的方法。
技术介绍
随着半导体制作工艺的微小化以及复杂度的提高，半导体元件也变得更容易受各式缺陷或杂质所影响，而单一金属连线、二极管或晶体管等的失效往往即构成整个芯片的缺陷。因此为了解决这个问题，现行技术便会在集成电路中形成一些可熔断的连接线(fusiblelinks)，也就是熔丝(fuse)，以确保集成电路的可利用性。一般而言，熔丝是连接集成电路中的冗余电路(redundancycircuit)，一旦检测发现部分电路具有缺陷时，这些连接线就可用于修复(repairing)或取代这些有缺陷的电路。另外，目前的熔丝设计还可以提供编程(programmingelements)的功能，以使各种客户可依不同的功能设计来编程电路。而从操作方式来说，熔丝大致分为热熔丝和电熔丝(eFuse)两种。所谓热熔丝，是通过一激光切割(laserzip)的步骤来切断；至于电熔丝则是利用电致迁移(electro-migration)的原理使熔丝出现断路，以达到修补的效果或编程的功能。此外，半导体...
【技术保护点】
一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底；形成一第一介电层于该基底上；形成一接触洞于该第一介电层内；以及进行一横向蚀刻制作工艺扩张该接触洞以形成一漏斗状开口。
【技术特征摘要】
1.一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底；形成一第一介电层于该基底上；形成一接触洞于该第一介电层内；以及进行一横向蚀刻制作工艺扩张该接触洞以形成一漏斗状开口。2.如权利要求1所述的方法，另包含：形成一第二介电层于该基底上；形成一第一导体于该第二介电层中；形成该第一介电层于该第二介电层上；以及形成该接触洞于该第一介电层中并暴露该第一导体。3.如权利要求2所述的方法，其中该第一导体的上表面切齐该第二介电层的上表面。4.如权利要求2所述的方法，另包含：形成一第一掩模层于该第一介电层上；进行一第一蚀刻制作工艺图案化该第一掩模层以形成一图案化第一掩模层；形成一第二掩模层于该图案化第一掩模层上；以及进行一第二蚀刻制作工艺以于该第二掩模层及该第一介电层中形成该接触洞。5.如权利要求4所述的方法，另包含利用一含氯气体进行该第一蚀刻制作工艺。6.如权利要求4所述的方法，另包含利用一含氟气体进行该第二蚀刻制作工艺。7.如权利要求1所述的方法，其中进行该横向蚀刻制作工艺的蚀刻气体选自由氮气以及氦气所构成的群组。8.如权利要求1所述的方法，另包含：形成一金属层于该漏斗状开口；以及平坦化该金属层以形成一第二导体。9.如权利要求8所述的方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏铭德，林俊贤，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。