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本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作方法包括：首先提供一基底，然后形成一第一介电层于基底上，其中第一介电层中具有一第一导体。接着形成一第二介电层于第一介电层上，去除部分第二介电层以形成一接触洞，然后再进行一横向蚀刻制作工艺扩张该接触...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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