半导体装置制造方法及图纸

课题在于：提供一种半导体装置，该半导体装置即便在维持熔丝元件的耐湿性并且邻接的熔丝元件的间隔狭窄的情况下，利用激光照射切断熔丝元件时，也能防止构成熔丝元件的导体的再附着、或熔丝元件的断线等。解决方案如下，即具备：设在半导体衬底上的第1绝缘膜；彼此邻接地设在第1绝缘膜上的多个熔丝元件；覆盖熔丝元件的至少侧面的保护绝缘膜；以及覆盖熔丝元件及保护绝缘膜的由BPSG膜或PSG膜构成的第2绝缘膜，保护绝缘膜的机械强度高于第2绝缘膜。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及半导体装置，特别涉及具有利用激光照射来烧断（blow）的熔丝元件的半导体装置。
技术介绍
一般，在半导体装置的电阻值的调整或冗长电路的设定中广泛使用熔丝元件。通过切断熔丝元件，从导通状态变化到非导通状态，向修调（trimming）电路存储期望的信息。熔丝元件的切断，可采用利用激光照射来烧断熔丝元件的方法、或流动大电流而熔断熔丝元件的方法等。在此，所谓烧断是指熔丝因热而破裂，构成物散落的情形。利用激光照射来烧断的熔丝元件，由多晶硅等的导体构成，在被氧化硅膜等的绝缘膜覆盖的状态下，隔着该绝缘膜照射激光从而被切断（例如，参照专利文献1）。【现有技术文献】【专利文献】【专利文献1】日本特开2000－40388号公报。
技术实现思路
【专利技术要解决的课题】近年，随着半导体装置的小型化，熔丝元件也被要求小型化，特别是在并排配置多个熔丝元件的情况下，产生使邻接的熔丝元件的间隔狭窄的需要。图7示出现有的小型化的半导体装置400的结构。图7（a）是在半导体装置400中形成多个熔丝元件的区域的俯视图，图7（b）是沿着图7（a）中的B－B线的截面图。如图7所示那样，现有的半导体装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于具备：设在半导体衬底上的第1绝缘膜；彼此邻接地设在所述第1绝缘膜上的多个熔丝元件；覆盖所述熔丝元件的至少侧面的保护绝缘膜；以及覆盖所述熔丝元件及所述保护绝缘膜的由BPSG膜或PSG膜构成的第2绝缘膜，所述保护绝缘膜的机械强度高于所述第2绝缘膜。

【技术特征摘要】
2016.02.01 JP 2016-0173501.一种半导体装置，其特征在于具备：设在半导体衬底上的第1绝缘膜；彼此邻接地设在所述第1绝缘膜上的多个熔丝元件；覆盖所述熔丝元件的至少侧面的保护绝缘膜；以及覆盖所述熔丝元件及所述保护绝缘膜的由BPSG膜或PSG膜构成的第2绝缘膜，所述保护绝缘膜的机械强度高于所述第2绝缘膜。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述保护绝缘膜具有覆盖所述熔丝元件的所述侧面的第1部分、和覆盖所述熔丝...

【专利技术属性】
技术研发人员：木村吉孝，
申请(专利权)人：精工半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP