半导体制造装置及半导体器件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体制造装置及半导体器件的制造方法。在通过上推单元上推裸芯片时，有时裸芯片变形，挠曲至筒夹的吸附面之下，产生泄漏。半导体制造装置具备吸附裸芯片的筒夹部，所述筒夹部具备：具有第二吸引孔的管状部；位于保持具有第一吸引孔的吸附部的保持部及所述管状部的外侧的外周部；构成在所述保持部及所述管状部与外周部之间的第三吸引孔；以及提起单元，因所述裸芯片的周边部向下方向挠曲而在所述第三吸引孔处产生泄漏，该提起单元的内压变高，由此压下所述外周部，使其与所述裸芯片的周边部抵接，变得不产生所述泄漏，该内压降低由此提起所述外周部，提起所述裸芯片的周边部。

Manufacturing methods of semiconductor manufacturing devices and semiconductor devices

The invention provides a semiconductor manufacturing device and a manufacturing method of a semiconductor device. In the unit through a push push bare chip, sometimes bare chip deformation, surface adsorption under flexural to collet, leakage. A semiconductor manufacturing apparatus includes a suction bare chip collet, the collet portion includes a tubular part with second holes to attract; in keep with the adsorption of the first suction hole and the tubular hold the lateral portion of the outer peripheral part; and the composition between the tubular portion and peripheral part third in the suction hole; and the lift unit, the bare chip peripheral downward direction of deflection in the third suction hole leakage, the lift unit internal pressure becomes higher, the pressure of the peripheral part, the peripheral part and the bare chip contact becomes no leakage generated by the internal pressure, the lower the lift of the peripheral part, lifting the bare chip periphery.

【技术实现步骤摘要】
半导体制造装置及半导体器件的制造方法
本公开涉及半导体制造装置，例如能够适用于具备筒夹的芯片贴装机。
技术介绍
通常，在将被称作裸芯片的半导体芯片例如搭载于配线基板或引线框架等(以下统称为基板)的表面的芯片贴装机中，通常重复进行如下动作(作业)：使用筒夹等的吸附嘴将裸芯片搬运到基板上，赋予按压力，并且对接合材料进行加热，由此进行贴装。在通过芯片贴装机等半导体制造装置进行的芯片贴装工序中有将从半导体晶片(以下称作晶片)分割出的裸芯片剥离的剥离工序。在剥离工序中，从切割带背面利用上推单元上推裸芯片，从保持于裸芯片供给部的切割带逐一剥离，并使用筒夹等的吸附嘴搬运到基板上。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015－76410号公报在通过上推单元上推裸芯片时，有时裸芯片变形而挠曲至筒夹的吸附面之下，从而产生泄漏。
技术实现思路
本公开的课题在于，提供一种即使裸芯片变形也不会因泄漏产生而丧失真空吸附力的半导体制造装置。其它课题和新的特征根据本说明书及附图变得明朗。若简单说明本公开中代表性的内容的概要，则如下。即，半导体制造装置具备外周部根据拾取的裸芯片截面的形状而自动上下移动的筒夹。专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制造装置，其特征在于，具备吸附裸芯片的筒夹部，所述筒夹部具备：吸附部，其具有第一吸引孔，吸附所述裸芯片的中央附近；保持部，其保持所述吸附部；管状部，其与所述保持部连接，具有与第一吸引孔相连的第二吸引孔；外周部，其位于所述保持部及所述管状部的外侧；第三吸引孔，其构成在所述保持部及所述管状部与外周部之间；以及提起单元，因所述裸芯片的周边部向下方挠曲而在所述第三吸引孔处产生泄漏，所述提起单元的内压变高，由此压下所述外周部使其与所述裸芯片的周边部抵接，变得不产生所述泄漏，所述提起单元的内压降低，由此提起所述外周部，提起所述裸芯片的周边部。

【技术特征摘要】
2016.07.13 JP 2016-1386511.一种半导体制造装置，其特征在于，具备吸附裸芯片的筒夹部，所述筒夹部具备：吸附部，其具有第一吸引孔，吸附所述裸芯片的中央附近；保持部，其保持所述吸附部；管状部，其与所述保持部连接，具有与第一吸引孔相连的第二吸引孔；外周部，其位于所述保持部及所述管状部的外侧；第三吸引孔，其构成在所述保持部及所述管状部与外周部之间；以及提起单元，因所述裸芯片的周边部向下方挠曲而在所述第三吸引孔处产生泄漏，所述提起单元的内压变高，由此压下所述外周部使其与所述裸芯片的周边部抵接，变得不产生所述泄漏，所述提起单元的内压降低，由此提起所述外周部，提起所述裸芯片的周边部。2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，所述提起单元是设置于所述外周部的上方且在所述管状部的外侧的波纹管机构，若内压变高，则通过波纹管机构的恢复力压下所述外周部，若内压降低，则通过所述波纹管机构的吸引力提起所述外周部。3.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其特征在于，所述波纹管机构由从所述管状部水平延伸的安装部、所述外周部的水平部、连接于所述安装部与所述外周部的水平部之间的波纹管构成，经由设置于所述外周部的水平部的孔，使所述波纹管机构与所述第三吸引孔连通。4.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，所述提起单元是设置于所述外周部的上方且在所述管状部的外侧的隔膜机构，若内压变高，则通过隔膜机构的恢复力压下所述外周部，若内压降低，则通过所述隔膜机构的吸引力提起所述外周部。5.根据权利要求4所述的半导体制造装置，其特征在于，所述隔膜机构由从所述管状部水平延伸的安装部、所述外周部的上部的水平部、所述外周部的上部的垂直部、连接于所述安装部、以及所述外周部的上部的水平部与所述外周部的上部的垂直部之间的隔膜构成，经由设置于所述外周部的上部的孔，使所述隔膜机构和所述第二吸引孔连通。6.根据权利要求4所述的半导体制造装置，其特征在于，所述隔膜机构由从所述管状部水平延伸的第一安装部、从比所述第一安装部靠下方的所述管状部水平延伸的第二安装部、所述外周部的上部的水平部、连接于所述第一安装部与所述外周部的上部之间的第一隔膜、以...

【专利技术属性】
技术研发人员：名久井勇辉，冈本直树，齐藤明，田中深志，横森刚，二宫勇，
申请(专利权)人：捷进科技有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP