接合体的制造方法技术

本发明专利技术提供一种接合体的制造方法，其通过较低温度的加热来接合第一被粘物和第二被粘物，在接合后能够得到具有优异耐热性的接合体。一种接合体的制造方法，其中，玻璃糊剂包含(A)结晶化玻璃料和(B)溶剂，(A)结晶化玻璃料具有玻璃化转变温度、结晶化温度和再熔融温度，再熔融温度为超过结晶化温度的温度，结晶化温度为超过玻璃化转变温度的温度，所述制造方法包括下述工序：对第一被粘物和第二被粘物涂布玻璃糊剂的工序；夹着玻璃糊剂来接合第一被粘物和第二被粘物的工序；将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物加热至(A)结晶化玻璃料的结晶化温度以上且低于再熔融温度的工序；以及，将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物冷却至结晶化玻璃料的玻璃化转变温度以下从而得到接合体的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】接合体的制造方法
本专利技术涉及使用玻璃糊剂来接合第一被粘物和第二被粘物的接合体的制造方法。
技术介绍
含有玻璃和导电性颗粒的糊剂被用作接合基板和半导体芯片、基板和盖体、基板和放热部件等的接合材料。例如，含有玻璃和导电性颗粒的糊剂被用作对粘接在陶瓷基板上的电路层粘接半导体芯片等半导体元件的芯片接合材料。专利文献1中公开了一种芯片接合材料糊剂，其含有：包含V2O5的无铅玻璃、以及30～95体积％的金属颗粒。专利文献1中，作为芯片接合材料糊剂中含有的玻璃，公开了在玻璃组成中包含总量为65质量％的V2O5和Ag2O、且玻璃化转变温度(Tg)为163℃、玻璃结晶化温度(Tcry)为263℃、软化点(Ts)为208℃的玻璃。另外，专利文献2中公开了一种用于将半导体设备接合于基板的玻璃糊剂，所述玻璃糊剂使用了玻璃化转变温度约为250℃以下、结晶化温度为300℃以下且晶体的再熔融温度约为350℃以下的具有特定组成的玻璃粉末。专利文献2公开的玻璃糊剂中包含的玻璃以氧化物基准计含有Ag2O46.9重量％、V2O522.0重量％、TeO28.9重量％、PbO222.2重量％。并公开了：具有该玻璃组成的微本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种接合体的制造方法，其使用玻璃糊剂来接合第一被粘物和第二被粘物，玻璃糊剂包含(A)结晶化玻璃料和(B)溶剂，(A)结晶化玻璃料具有玻璃化转变温度、结晶化温度和再熔融温度，再熔融温度为超过结晶化温度的温度，结晶化温度为超过玻璃化转变温度的温度，所述接合体的制造方法包括下述工序：对第一被粘物和/或第二被粘物涂布玻璃糊剂的工序；夹着玻璃糊剂接合第一被粘物和第二被粘物的工序；将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物加热至(A)结晶化玻璃料的结晶化温度以上且低于再熔融温度的工序；以及将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物冷却至结晶化玻璃料的玻璃化转变温度以下从而得到接合体的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.04.09 US 62/145,2501.一种接合体的制造方法，其使用玻璃糊剂来接合第一被粘物和第二被粘物，玻璃糊剂包含(A)结晶化玻璃料和(B)溶剂，(A)结晶化玻璃料具有玻璃化转变温度、结晶化温度和再熔融温度，再熔融温度为超过结晶化温度的温度，结晶化温度为超过玻璃化转变温度的温度，所述接合体的制造方法包括下述工序：对第一被粘物和/或第二被粘物涂布玻璃糊剂的工序；夹着玻璃糊剂接合第一被粘物和第二被粘物的工序；将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物加热至(A)结晶化玻璃料的结晶化温度以上且低于再熔融温度的工序；以及将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物冷却至结晶化玻璃料的玻璃化转变温度以下从而得到接合体的工序。2.根据权利要求1所述的接合体的制造方法，其中，玻璃糊剂还包含(C)导电性颗粒。3.根据权利要求1或2所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料的再熔融温度为300℃以上。4.根据权利要求1～3中任一项所述的接合体的连接方法，其中，(A)结晶化玻璃料的玻璃化转变温度与结晶化温度之差为30℃以上且185℃以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料的结晶化温度为150℃以上且350℃以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料的玻璃化转变温度为110℃以上且低于200℃。7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷蒙德·迪茨，凯西·肖·特朗勃，马切伊·帕特尔卡，吉井明人，坂井德幸，山口博，
申请(专利权)人：纳美仕有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP