半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本申请提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法。能够缓和由热膨胀率之差导致的集中于树脂壳体内表面的角部附近的应力，满足层叠基板与树脂壳体之间的绝缘性。上述半导体装置具有将树脂壳体(6)与层叠组件组合而成的构成，上述层叠组件具有：半导体元件(1)；搭载有上述半导体元件(1)的层叠基板(3)；以及搭载有上述层叠基板(3)的金属基板(4)。在树脂壳体(6)中，在角部设有切槽(6a)。切槽(6a)的宽度和长度中的至少一个为2mm以上。

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

The present invention provides a semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device. The utility model can relax the stress near the corner of the resin shell surface caused by the difference of the thermal expansion rate, and satisfies the insulation between the laminated substrate and the resin shell. The semiconductor device has a resin housing (6) and a stack of a combination of the laminated assembly has a semiconductor element (1); equipped with the semiconductor element (1) of the laminate substrate (3); and equipped with the laminated substrate (3) of the metal base plate (4). In the resin housing (6), a groove (6a) is disposed in the corner. At least one of the width and length of the grooving (6a) is more than 2mm.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。
技术介绍
以往，对于搭载有IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor：绝缘栅双极型晶体管)等功率半导体元件的功率半导体模块而言，在半导体元件中使用硅(Si)时，经实用化的最大额定电压达到6.5kV左右，使用硅胶作为用于对半导体元件进行绝缘保护的密封树脂。另一方面，使用了近年来开发的碳化硅(SiC)等带隙比硅的带隙宽的半导体而成的宽带隙半导体元件能够实现更进一步的高耐压化。因此，提出了使用耐热性和耐压性比硅胶的耐热性和耐压性高的环氧树脂等硬质树脂作为密封树脂的方法(例如，参照专利文献1)。以通常的IGBT功率半导体模块的结构为例对现有的功率半导体模块的结构进行说明。图7是表示现有结构的功率半导体模块的构成的截面图。另外，图8是表示现有结构的功率半导体模块的构成的上表面图。如图7和图8所示，功率半导体模块具备功率半导体芯片1、接合材料2、层叠基板3、金属基板4、密封树脂5、树脂壳体6、端子7、键合线8和盖9。树脂壳体6经由硅等粘接剂粘接在搭载了接合有功率半导体芯片1的层叠基板3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，其是将树脂壳体与层叠组件组合而成的半导体装置，所述层叠组件具有半导体元件、搭载有所述半导体元件的层叠基板和搭载有所述层叠基板的金属基板，其中，在所述树脂壳体的角部设有切槽。

【技术特征摘要】
2016.03.18 JP 2016-0562461.一种半导体装置，其特征在于，其是将树脂壳体与层叠组件组合而成的半导体装置，所述层叠组件具有半导体元件、搭载有所述半导体元件的层叠基板和搭载有所述层叠基板的金属基板，其中，在所述树脂壳体的角部设有切槽。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述切槽的宽度和长度中的至少一个为所述树脂壳体的内部尺寸中的长边的长度的4％以...

【专利技术属性】
技术研发人员：浅井龙彦，谷口克己，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP