一种LED晶圆快速退火炉的校温方法技术

一种LED晶圆快速退火炉的校温方法，属于半导体材料的生产技术领域，本发明专利技术在横向温场校准后另外增加纵向温场的校准，以保证LED晶圆在快速退火过程中平面与翘曲面温度基本一致，以确保退火的效果，很好地解决了因翘曲导致温场不一致的问题，使LED晶圆在平面与翘曲面均能形成良好的欧姆接触，从而提高LED晶圆，特别是4寸及以上LED晶圆的快速退火合格率。

Method for correcting temperature of LED wafer quick annealing furnace

A LED rapid annealing furnace temperature adjusting method, which belongs to the technical field of semiconductor material production, the invention in the transverse temperature field calibration after additional calibration of longitudinal temperature field, in order to guarantee the LED wafer level in rapid annealing process and warpage of surface temperature is consistent, to ensure that the annealing effect, a good solution the problem of temperature field due to warping lead to inconsistent, the LED wafer in the plane and the warping surface can form good ohmic contact, so as to improve the LED wafer, especially the fast annealing and above 4 inch LED wafer qualified rate.

【技术实现步骤摘要】
一种LED晶圆快速退火炉的校温方法
本专利技术属于半导体材料的生产
，特别涉及LED晶圆快速退火工艺。
技术介绍
LED晶圆快速退火是指在短时间内，将待退火处理的晶圆升高到所需的温度后，进行退火处理，以达到晶格缺陷退火、晶体再生及离子注入掺杂原子的活化及扩散的目的。在离子注入的应用上，快速升降温热处理制程可使注入的掺杂原子活化，由于其升温速率快且热处理的时间短，可有效降低接面深度及有效通道长度，快速升降温热处理在半导体技术中愈来愈重要。LED晶圆快速退火是将LED晶圆蒸镀的电极材料与晶圆材料间通过热扩散形成良好的欧姆接触，以降低LED的正向工作电压。LED晶圆快速退火炉采用暖壁式水循环架构，以卤素灯管为加热源，热量通过上、下、侧壁的卤素灯管传递到炉内正方式石墨承片台上，由于石墨具有较好的传导性能，能快速吸收热量而使自身温度升高，并将高温传递给放置其上的LED晶圆，LED晶圆吸收来自卤素灯管直接照射与石墨承片台两部分热量，配合10～15组温度控制区域及2组热电耦进行监控与比对炉内实际温度，将待处理的芯片置入于石英腔体内，快速退火炉升温速率约为40～50℃/S，在退火工艺中以5～1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED晶圆快速退火炉的校温方法，其特征在于包括以下步骤：1）在快速退火炉的正方形石墨承片台上放置八个热电耦，所述八个热电耦分两组布置，每组四个，第一组的四个热电耦分别布置在承片台的4个角，第二组的四个热电耦分别布置在承片台的中心，且八个热电耦处于同一水平面；2）通过调整快速退火炉内不同位置的加热源的PID值，使得八个热电耦传感的任意两个温度之间的偏差小于±5℃；3）将第一组的四个热电耦分别垫高至距石墨承片台2.5mm处，再通过调整快速退火炉内不同位置的加热源的PID值，使得八个热电耦传感的任意两个温度之间的偏差小于±5℃。

【技术特征摘要】
1.一种LED晶圆快速退火炉的校温方法，其特征在于包括以下步骤：1）在快速退火炉的正方形石墨承片台上放置八个热电耦，所述八个热电耦分两组布置，每组四个，第一组的四个热电耦分别布置在承片台的4个角，第二组的四个热电耦分别布置在承片台的中心，且八个热电耦处于同一水平面；2）通过调整快速退火炉内不同位置的加热源的PID值，使得八个热电耦传感的任意两个温度之间的偏差小于±5℃；3）将第一组...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖和平，刘阳，郭冠军，孙如剑，王宇，王宁，马祥柱，杨凯，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32