一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板，其中，该方法包括：形成金属薄膜；对金属薄膜进行处理，使金属薄膜的表面上形成配合层；所述配合层用于与光刻胶作用产生氢键；通过构图工艺形成电极，当在表面上形成有配合层的金属薄膜上进行构图工艺时，由于配合层与光刻胶作用产生氢键，有效的提高了光刻胶与金属之间的粘附力，使得金属刻蚀过程中光刻胶不易剥落，实现了薄膜晶体管的广泛使用。

Thin film transistor and manufacturing method thereof and display panel

The invention discloses a thin film transistor and its manufacturing method, display panel, wherein, the method comprises: forming a metal film; processing of metal film, the surface layer is formed on the metal film; the matching layer is used to produce hydrogen bond with the photoresist; through the patterning process to form the electrode formed on the surface when on the composition process with the metal film on the matching layer, due to hydrogen bonding layer and the photoresist with effect, effectively improve the adhesion between the photoresist and the metal, the metal etching process of photoresist stripping is not easy to fall, the widespread use of thin film transistor.

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板
本专利技术涉及显示
，尤指一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板。
技术介绍
随着显示技术的不断发展，有机电致发光显示面板和液晶显示面板等平板显示面板发展迅速。以液晶显示面板为例，液晶显示面板包括阵列基板，阵列基板包括：基板、位于基板上的薄膜晶体管以及像素电极，其中薄膜晶体管中包括有源层、栅电极、源电极和漏电极，其中，在薄膜晶体管的制作工艺中，栅电极、源电极和漏电极均是在金属薄膜上通过包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离等工艺的构图工艺形成的。目前，市场对于液晶显示面板的对比度和分辨率的要求越来越高，也就是说，薄膜晶体管中的源极线和漏极线的宽度需要越来越小。然而，由于光刻胶与金属之间的粘附力较弱，因此，源极线和漏极线的宽度较小会导致形成源电极和漏电极的刻蚀过程中光刻胶剥离，从而限制了薄膜晶体管的广泛使用。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板，能够提高金属与光刻胶的粘附力，避免金属刻蚀过程中光刻胶剥落，实现了薄膜晶体管的广泛使用。为了达到本专利技术目的，本专利技术提供了一种薄膜晶体管制作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管制作方法，其特征在于，包括：形成金属薄膜；对所述金属薄膜进行处理，使金属薄膜的表面上形成配合层；所述配合层用于与光刻胶作用产生氢键；通过构图工艺形成电极。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管制作方法，其特征在于，包括：形成金属薄膜；对所述金属薄膜进行处理，使金属薄膜的表面上形成配合层；所述配合层用于与光刻胶作用产生氢键；通过构图工艺形成电极。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对金属薄膜进行处理，包括：利用湿法刻蚀设备采用指定溶液对金属薄膜进行处理；其中，指定溶液中的溶剂为二甲基甲酰胺，溶质为合成物溶液与硝酸溶液的混合液，所述合成物的分子式为C57H42N12O6·H2O。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，合成物溶液的质量百分比为30％-50％。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，处理的时间大于或者等于2分钟，处理的温度为40-50摄氏度。5.根据权利要求1-4任一所述的方法，其特征在于，通过构图工艺形成电极包...

【专利技术属性】
技术研发人员：李海旭，曹占锋，姚琪，汪建国，孟凡娜，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11