一种发光二极管制造技术

本实用新型专利技术属于半导体领域，涉及一种发光二极管，本实用新型专利技术中设计的有源层中，包括第一多量子阱层、第二多量子阱层和第三多量子阱层，其中第一势垒层、第二势垒层、第三势垒层从第一半导体层至第二半导体层一侧厚度均值减小，并且其厚度均值h1、h2、h3，符合关系式：h3≤(h1+h2+h3)/3，h2≤（h1+h3）/2，利用第一势垒层中较厚的量子垒层，阻挡电子溢流，并维持有源层的生长质量，从而降低QCSE，以提升IQE，提升LED器件亮度。

A light emitting diode

The utility model belongs to the semiconductor field, relates to a light emitting diode, the active layer in the design of the utility model, including the first multi quantum well layer, the more than 2 layer and the more than 3 quantum well quantum well layer, wherein the first barrier layer and a second barrier layer, the third barrier layer from the first semiconductor layer to the second side of the semiconductor layer thickness the mean decreases, and the thickness of average H1, H2, H3, with formula: H3 = (h1+h2+h3) /3, H2 (h1+h3) /2, the first barrier layer in thick layer quantum barrier, blocking electron overflow, and maintain the growth quality of the active layer, thereby reducing the QCSE, in order to improve the IQE, enhance LED brightness.

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管
本技术属于半导体领域，尤其涉及一种有源层中势垒层厚度改变，而势阱层厚度不变的发光二极管。
技术介绍
现有技术中的外延结构为N型层、发光层和P型层，其中N型层提供电子，P型层提供电洞，当注入电流进入外延层后，电子和电洞在发光层中复合，从而使其发射一定波长的光线。现有技术中的发光层为由势垒层和势阱层周期性层叠而成的结构，其中势垒层材料为GaN或AlGaN，势阱层材料为InGaN，由于势阱层和势垒层晶格常数不同，使得发光层产生QCSE效应，影响发光效率，降低了IQE。量子局限效应（QuantumConfineStarkEffect，QCSE）是由于三五族材料的自发性与压电性极化造成能带的倾斜，导致电子、电洞的波函数分离，使得复合辐射的机率下降，降低内部量子效率（InternalQuantumEfficiency，IQE)，并且因为能带的倾斜使得电子溢流增加，引发效率衰退(Efficiencydroop)的问题。
技术实现思路
为解决以上问题，本技术公开一种发光二极管，所述发光二极管至少包括依次层叠的衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述有源层从下至上依次包括第一多量子阱本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，所述发光二极管至少包括依次层叠的衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述有源层从下至上依次包括第一多量子阱层、第二多量子阱层和第三多量子阱层，所述第一多量子阱层由复数对第一势垒层和第一势阱层层叠而成，所述第二多量子阱层由复数对第二势垒层和第二势阱层层叠而成，所述第三多量子阱层由复数对第三势垒层和第三势阱层层叠而成，其特征在于：所述第一势垒层、第二势垒层、第三势垒层厚度均值从所述第一半导体层向第二半导体层方向减小，而第一势阱层、第二势阱层、第三势阱层的厚度不变。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，所述发光二极管至少包括依次层叠的衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述有源层从下至上依次包括第一多量子阱层、第二多量子阱层和第三多量子阱层，所述第一多量子阱层由复数对第一势垒层和第一势阱层层叠而成，所述第二多量子阱层由复数对第二势垒层和第二势阱层层叠而成，所述第三多量子阱层由复数对第三势垒层和第三势阱层层叠而成，其特征在于：所述第一势垒层、第二势垒层、第三势垒层厚度均值从所述第一半导体层向第二半导体层方向减小，而第一势阱层、第二势阱层、第三势阱层的厚度不变。2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：定义所述第一势垒层、第二势垒层、第三势垒层的厚度均值分别为h1、h2、h3，其中h3≤(h1+h2+h3)/3，h2≤（h1+h3）/2。3.根据权利要求2所述的一种发光二极管，其特征在于：所述第一多量子阱层内每一第一势垒层厚度相同，所述第二多量子阱层内每一第二势垒层厚度相同，所述第三多量子阱层内每一第三势垒层厚度相同。4.根据权利要求2所述的一种发光二极管，其特征在于：所述第一多量子阱层内第一势垒层厚度从第一半导体层向第二半导体层方向递减，所述第二多量子阱层内第二势垒层厚度从第一半导体层...

【专利技术属性】
技术研发人员：蓝永凌，林兓兓，蔡吉明，张家宏，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34