一种具有高复合效率的量子阱结构及外延结构制造技术

本发明专利技术提供了一种具有高复合效率的量子阱结构及外延结构，其中，在该量子阱结构由GaN基半导体化合物构成，且位于量子阱结构后端的1‑2个势垒层比其他量子阱的导带能量更高、介带能量更低。该结构的量子阱结构中靠近p层所在的量子阱空穴和电子的复合更容易发生，从而提高了电子和空穴的复合率，提高发光强度。

【技术实现步骤摘要】
一种具有高复合效率的量子阱结构及外延结构
本专利技术涉及半导体
，尤指一种量子阱结构及一种外延结构。
技术介绍
发光二极管(LED，LightEmittingDiode)是一种半导体固体发光器件，其利用半导体PN结作为发光材料，可以直接将电转换为光。当半导体PN结的两端加上正向电压后，注入PN结中的少数载流子和多数载流子发生复合，放出过剩的能量而引起光子发射，直接发出颜色为红、橙、黄、绿、青、蓝、紫的光。其中，以氮化镓(GaN)为代表的III-V族化合物半导体由于具有带隙宽、发光效率高、电子饱和漂移速度高、化学性质稳定等特点，在高亮度蓝光发光二极管、蓝光激光器等光电子器件领域有着巨大的应用潜力，引起了人们的广泛关注。目前，氮化镓LED发光器件主要采用P-N结结构，并且在P型半导体和N型半导体之间设有多量子阱结构，量子阱是通过在两种不同的半导体层之间插入薄半导体层而形成的一种结构，该薄半导体层具有比那两种半导体层小得多的能量带隙。现在普遍应用的GaN基发光二极管结构为：在N型掺杂的GaN层上生长N型掺杂的AlGaN层，随后生长InGaN/GaN多量子阱，然后再生长P型掺杂的AlG本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有高复合效率的量子阱结构，其特征在于，所述量子阱结构由GaN基半导体化合物构成，且位于所述量子阱结构后端的1‑2个势垒层比其他量子阱的导带能量更高、介带能量更低。

【技术特征摘要】
1.一种具有高复合效率的量子阱结构，其特征在于，所述量子阱结构由GaN基半导体化合物构成，且位于所述量子阱结构后端的1-2个势垒层比其他量子阱的导带能量更高、介带能量更低。2.根据权利要求1所述的量子阱结构，其特征在于，所述量子阱结构由In1-xGaxN构成，其中，0≤x≤1。3.根据权利要求1所述的量子阱结构，其特征在于，所述量子阱结构中的势垒层由In1-yGayN构成，其中，0≤y≤1。4.根据权利要求1所述的量子阱结构，其特征在于，所述量子阱结构的能量带隙在1....

【专利技术属性】
技术研发人员：涂逵，陈振，
申请(专利权)人：晶能光电江西有限公司，
类型：发明
国别省市：江西,36