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本发明提供了一种具有高复合效率的量子阱结构及外延结构，其中，在该量子阱结构由GaN基半导体化合物构成，且位于量子阱结构后端的1‑2个势垒层比其他量子阱的导带能量更高、介带能量更低。该结构的量子阱结构中靠近p层所在的量子阱空穴和电子的复合更容...
该专利属于晶能光电（江西）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶能光电（江西）有限公司授权不得商用。

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