基于表面等离子波导的新型发光二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了基于表面等离子波导的新型发光二极管，其特征是，包括自下而上顺序叠接的n‑GaAs层、InGaN‑GaAs多量子阱层、p‑GaAs层和Ag金属光栅层，所述p‑GaAs层刻蚀有光栅结构ITO缓冲层。这种二极管能提高LED的光萃取效率、增加光的透射、能够增强LED的电学特性、实现LED的出光效率的增强,为制备高效LED芯片提供一种新的原型器件。

【技术实现步骤摘要】
基于表面等离子波导的新型发光二极管
本技术涉及半导体
，具体是一种基于表面等离子波导的新型发光二极管。
技术介绍
表面等离子体激元(Surfaceplasmonpolariton,简称SPP)是通过改变金属表面的亚波长结构实现的一种光波与可迁移的表面电荷之间电磁模，可以支持金属与介质界面传输的表面等离子波，从而传输光能量，且不受衍射极限的限制。砷化镓发光二极管（Light-emittingdiode,简称LED）已经实现了很多领域的应用，但目前的发光LED的效率提高依然是研究主要方向。比较有代表性的是2004年，《NatureMaterials》发表的Okamoto团队的“Surface-plasmon-enhancedlightemittersbasedonInGaNquantumwells”提出了在InGaN/GaN量子阱LED中引入SPs技术来提高LED的发光效率，在一定的条件下，激发产生高强度的SPs，能够提高LED发光中心的内量子效率。更人兴奋的是2010年，《Nanotechnology》发表的CHU团队的“Surfaceplasmon-enhancedlight-本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于表面等离子波导的新型发光二极管，其特征是，包括自下而上顺序叠接的n‑GaAs层、InGaN‑GaAs多量子阱层、p‑GaAs层和Ag金属光栅层，所述p‑GaAs层刻蚀有光栅结构ITO缓冲层。

【技术特征摘要】
1.基于表面等离子波导的新型发光二极管，其特征是，包括自下而上顺序叠接的n-GaAs层、InGaN-GaAs多量子阱层、p-GaAs层和Ag金属光栅层，所述p-GaAs层刻蚀有光栅结构ITO缓冲层。2.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐汶菊，朱君，
申请(专利权)人：广西师范大学，
类型：新型
国别省市：广西,45