一种基于亚波长金属V槽超强光束缚的表面等离子体波导制造技术

技术编号:13145789 阅读:145 留言:0更新日期:2016-04-10 09:10
一种基于亚波长金属V槽超强光束缚的表面等离子体波导主要包括:刻有V槽的金属(材料选取为银)衬底1,银衬底1上V槽两内壁镀有一层二氧化硅介质膜2,整个光波导被空气层3包围;V槽上宽度W,V槽尖端二氧化硅膜厚t,V槽角度α和θ。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术为一种纳米光学波导器件,具体涉及一种基于亚波长金属V槽超强光束缚的表面等离子体波导
技术介绍
由于光学衍射极限的限制,目前传统电介质光波导小型集成化的发展遇到了不可克服的技术瓶颈。探索如何突破光衍射极限的波导对于纳米集成光学和量子光通信都有着极其重要的研究意义。近年来,研究者们发现在导体和电介质分界面上存在一种传播电磁波,即表面等离子体波,能够极大程度地突破光学衍射极限从而将电磁波束缚在纳米范围内。因此基于表面等离子体的亚波长光波导也受到了广大科学家们高度的重视。表面等离子体波是一种电磁波与导体表面自由电子振荡親合而产生的一种表面衰逝波。除具备突破光衍射极限的优点外,表面等离子体的另一个显著优点是其局域增强的电磁场能量分布。增强的局域电磁场能够明显加快光与物质的相互作用,对于生物传感,表面增强拉曼散射和纳米平板印刷术等都有着极其重要的应用前景。然而,产生表面等离子体的载体是导体表面谐振的自由电子,因此,金属欧姆损耗是表面等离子体不可避免的一大难题。更重要的是,在实现超强光束缚情况下,其传输(欧姆)损耗会进一步变大,从而约束了表面等离子体光波导的实际应用。研究如何本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于亚波长金属V槽超强光束缚的表面等离子体波导主要包括:刻有V槽的金属(材料选取为银)衬底1,银衬底1上V槽两内壁镀有一层二氧化硅介质膜2,整个光波导被空气层3包围;V槽上宽度W,V槽尖端二氧化硅膜厚t,V槽角度α和θ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:马云燕马佑桥艾华束鑫
申请(专利权)人:江苏双仪光学器材有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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