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本实用新型公开了基于表面等离子波导的新型发光二极管，其特征是，包括自下而上顺序叠接的n‑GaAs层、InGaN‑GaAs多量子阱层、p‑GaAs层和Ag金属光栅层，所述p‑GaAs层刻蚀有光栅结构ITO缓冲层。这种二极管能提高LED的光萃取...
该专利属于广西师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过广西师范大学授权不得商用。

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