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一种基于等离子波导的偏振旋转器制造技术

技术编号:13508723 阅读:144 留言:0更新日期:2016-08-10 20:13
本发明专利技术公开了一种基于等离子波导的偏振旋转器,包括正方形硅芯层、顶部金属银条带、侧面金属银条带、二氧化硅包层和衬底;正方形硅芯层位于衬底上,正方形硅芯层为纵向截面为正方形的柱状;侧面金属银条带位于正方形硅芯层的一侧,且不与正方形硅芯层接触,侧面金属银条带的形状为纵向截面为长方形的柱状;顶部金属银条带位于正方形硅芯层的顶部,且不与正方形硅芯层接触,顶部金属银条带的形状为纵向截面为长方形的柱状;正方形硅芯层、顶部金属银条带、侧面金属银条带的外部包覆有二氧化硅包层。本发明专利技术使用金属条带的表面场局域化和场增强作用调整模场分布,相比使用倾斜单边或刻蚀方法,减小了器件尺寸,同时金属条带对于模场影响具有选择性。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种基于等离子波导的偏振旋转器,包括正方形硅芯层、顶部金属银条带、侧面金属银条带、二氧化硅包层和衬底;正方形硅芯层位于衬底上,正方形硅芯层为纵向截面为正方形的柱状;侧面金属银条带位于正方形硅芯层的一侧,且不与正方形硅芯层接触,侧面金属银条带的形状为纵向截面为长方形的柱状;顶部金属银条带位于正方形硅芯层的顶部,且不与正方形硅芯层接触,顶部金属银条带的形状为纵向截面为长方形的柱状;正方形硅芯层、顶部金属银条带、侧面金属银条带的外部包覆有二氧化硅包层。本专利技术使用金属条带的表面场局域化和场增强作用调整模场分布,相比使用倾斜单边或刻蚀方法,减小了器件尺寸,同时金属条带对于模场影响具有选择性。【专利说明】一种基于等离子波导的偏振旋转器
本专利技术涉及一种用于光通信系统、光计算机系统及光子/光电子集成回路的基于等离子波导的偏振旋转器,属于集成光学

技术介绍
随着光纤系统传输速率的不断提高,偏振控制和稳定操作的需求逐渐提高,发展高性能的偏振控制系统显得尤为重要。在这类偏振控制系统中,偏振旋转器件是最基本的器件之一。例如,为提高波分复用(DWDM)的交互性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于等离子波导的偏振旋转器,其特征在于:包括正方形硅芯层(1)、顶部金属银条带(2)、侧面金属银条带(3)、二氧化硅包层(4)和衬底(7);所述正方形硅芯层(1)位于衬底(7)上,正方形硅芯层(1)为纵向截面为正方形的柱状;侧面金属银条带(3)位于正方形硅芯层(1)的一侧,且不与正方形硅芯层(1)接触,侧面金属银条带(3)的形状为纵向截面为长方形的柱状;顶部金属银条带(2)位于正方形硅芯层(1)的顶部,且不与正方形硅芯层(1)接触,顶部金属银条带(2)的形状为纵向截面为长方形的柱状;所述正方形硅芯层(1)、顶部金属银条带(2)、侧面金属银条带(3)的外部包覆有二氧化硅包层(4)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:肖金标黄炎
申请(专利权)人:东南大学
类型:发明
国别省市:江苏;32

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