【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开一种基于啁啾多孔硅光子晶体的多通道滤波器，其结构主要由光学基底材料和光子晶体多层膜构成，其中光子晶体多层膜由两种不同多孔率的多孔硅A、B通过其中一种多孔硅层的物理厚度变化而形成啁啾结构基础单元并重复N个周期来构成，其结构为N。对于不同多孔率的A和B，在每个周期中，A层物理厚度a不变，B层物理厚度b1,b2,…bi成等差数列排列。采用电化学阳极腐蚀法制备多孔硅光子晶体，通过控制电化学阳极腐蚀的电流密度和腐蚀时间来实现啁啾结构。本专利技术与二维、三维光子晶体和传统滤波器相比，制备工艺简单，损耗低，可提供多个高透射率的滤波通道，在光通信系统和光子器件及系统中可发挥重要作用。【专利说明】基于嗎嗽多孔括光子晶体的多通道滤波器
本专利技术设及一种光子晶体滤波器，特别是设及一种基于调嗽多孔娃光子晶体的多 通道滤波器。
技术介绍
光子晶体是一种折射率在空间周期排列的人工材料。光子晶体独特的光子带隙结 构，能够控制光子的传播行为，使得光子晶体成为光子技术中的基础性材料之一，而且应用 广泛。 目前光子晶体用作滤波器通常是利用光子晶体的禁带特性，引入缺...
【技术保护点】
一种基于啁啾多孔硅光子晶体的多通道滤波器，包括光学基底材料，其特征在于：还包括多孔硅光子晶体多层膜，所述多孔硅光子晶体多层膜由两种不同多孔率的多孔硅A、B通过其中一种多孔硅层的物理厚度变化而形成啁啾结构基础单元并重复N个周期来构成，其结构表示为[A/B1/A/B2/.../A/Bi]N，其中，A表示每个周期中多孔硅A层为固定层，B1,B2…,Bi表示每个周期中多孔硅B层的物理厚度变化形成的各变化层，i为结构参数，N为周期数，所述多孔硅A、B根据电化学腐蚀原理制备，通过调节多孔硅光子晶体多层膜的物理厚度、结构参数和入射角θ，可获得需要的多通道滤波器，多通道滤波器的通道数可通过改变周期数N来调节。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈颖，田亚宁，朱奇光，赵志勇，罗佩，
申请(专利权)人：燕山大学，
类型：发明
国别省市：河北;13
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