发光二极管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了发光二极管及其制作方法。该发光二极管依次包括第一发光二极管外延层、光转换层、键合层和第二发光二极管外延层。在一些实施例中，所述键合层为带通键合层，所述光转换层能被第一发光二极管外延层发出的光激发，通过带通键合层后，出射的光与第二发光二极管外延层发出的光光谱重合，从而在相同电流下，额外增加了一部分与第二发光二极管外延层发出的光光谱重合的光线，使发光二极管的亮度得到极大增强。

Light emitting diode and its fabrication method

The invention discloses a light emitting diode and a method for making the light emitting diode. The light emitting diode consists of the first emitting diode epitaxial layer, the light conversion layer, the bonding layer and the second light emitting diode epitaxial layer. \u5728\u4e00\u4e9b\u5b9e\u65bd\u4f8b\u4e2d\uff0c\u6240\u8ff0\u952e\u5408\u5c42\u4e3a\u5e26\u901a\u952e\u5408\u5c42\uff0c\u6240\u8ff0\u5149\u8f6c\u6362\u5c42\u80fd\u88ab\u7b2c\u4e00\u53d1\u5149\u4e8c\u6781\u7ba1\u5916\u5ef6\u5c42\u53d1\u51fa\u7684\u5149\u6fc0\u53d1\uff0c\u901a\u8fc7\u5e26\u901a\u952e\u5408\u5c42\u540e\uff0c\u51fa\u5c04\u7684\u5149\u4e0e\u7b2c\u4e8c\u53d1\u5149\u4e8c\u6781\u7ba1\u5916\u5ef6\u5c42\u53d1\u51fa\u7684\u5149\u5149\u8c31\u91cd\u5408\uff0c\u4ece\u800c\u5728\u76f8\u540c\u7535\u6d41\u4e0b\uff0c\u989d\u5916\u589e\u52a0\u4e86\u4e00\u90e8\u5206\u4e0e\u7b2c\u4e8c\u53d1\u5149\u4e8c\u6781\u7ba1\u5916\u5ef6\u5c42\u53d1\u51fa\u7684\u5149\u5149\u8c31\u91cd\u5408\u7684\u5149\u7ebf\uff0c\u4f7f\u53d1\u5149\u4e8c\u6781\u7ba1\u7684\u4eae\u5ea6\u5f97\u5230\u6781\u5927\u589e\u5f3a\u3002

【技术实现步骤摘要】
发光二极管及其制作方法
本专利技术涉及一种发光二极管及其制作方法，属于发光二极管芯片器件与工艺

技术介绍
发光二极管作为第四代光源技术，具有诸多优点。具有节能、环保、安全、寿命长、低功耗等特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明等领域场合，使用非常广泛。并且随着行业的发展，技术的飞跃突破，应用的大力推广，发光二极管的效率不断提高，成本降低，大大提高了其发展前景。但是，其大功率器件效率低、起始成本高等，是一直存在的技术难题。近年来，为了提高发光二极管的出光效率，在发光二极管外延生长中已经有双结甚至是多结发光二极管出现，双结发光二极管外延具有两组量子阱结构，中间采用隧道结连接，同样电流下，出光量得到很大提高。在芯片方面出现倒装器件，其特点是外延层直接与导热基板接触，有效解决了散热的问题，同时倒装后生长衬底朝上成为出光面，并且生长衬底相对于出射的光是透明的，因此出光问题也得到解决。可见提高发光二极管的出光效率对于发光二极管来说，是一个持久的课题。无论是从器件结构、外延设计、封装形式等途径，其目的都是在相同条件下增加其出光量，提升出光效率。专利
技术实现思路
本专利技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】
发光二极管，包括：第一发光外延结构，发射第一波长的光，其上表面定义有第一区域和第二区域；光转换层，形成于所述第一发光外延结构的第一区域；键合层，位于所述光转换层的表面之上；第二发光外延结构，发射第二波长的光，位于所述键合层的表面之上，并通过所述键合层与所述第一发光外延结构连接；导电结构，形成于所述形成于所述第一发光外延结构的第二区域，并电连接至所述第二发光外延结构；其中，所述第一发光外延结构发出的光激发所述光转换层发出第三波长的光，并穿透所述键合层向上射出。

【技术特征摘要】
1.发光二极管，包括：第一发光外延结构，发射第一波长的光，其上表面定义有第一区域和第二区域；光转换层，形成于所述第一发光外延结构的第一区域；键合层，位于所述光转换层的表面之上；第二发光外延结构，发射第二波长的光，位于所述键合层的表面之上，并通过所述键合层与所述第一发光外延结构连接；导电结构，形成于所述形成于所述第一发光外延结构的第二区域，并电连接至所述第二发光外延结构；其中，所述第一发光外延结构发出的光激发所述光转换层发出第三波长的光，并穿透所述键合层向上射出。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：第二发光外延结构的带隙比第一发光结构的带隙窄。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：第一发光外延结构发出的光激发所述光转换层发射出的光波长同第二发光外延结构发射出的光波长中心值相当。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述光转换光层具有足够的厚度，将第一发光外延结构发射出的光完全吸收，并辐射出对应第二发光外延结构的光。5.根据权利要求3或4所述的发光二极管，其特征在于：所述键合层仅让与所述第二发光外延结构的发光波长相近的光通过。6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述键合层为带通材料层。7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述键合层结构由多层透光薄膜组成，调节所述薄膜层数与薄膜种类从而控制其透过的波长范围。8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明阳，刘冠洲，毕京锋，李森林，宋明辉，陈文浚，
申请(专利权)人：天津三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12