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本发明公开了发光二极管及其制作方法。该发光二极管依次包括第一发光二极管外延层、光转换层、键合层和第二发光二极管外延层。在一些实施例中，所述键合层为带通键合层，所述光转换层能被第一发光二极管外延层发出的光激发，通过带通键合层后，出射的光与第二...
该专利属于天津三安光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津三安光电有限公司授权不得商用。

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