发光二极管磊晶结构制造技术

一种发光二极管磊晶结构，包含基板、缓冲层、第一半导体层、发光层、中介层、第二半导体层以及接触层。缓冲层设置于基板上。第一半导体层设置于缓冲层上。发光层设置于第一半导体层上。中介层设置于发光层上，其中中介层的材质为P型氮化铝。第二半导体层设置于中介层上，其中第二半导体层的材质为P型氮化铝镓。接触层设置于第二半导体层上。通过妥善选择中介层与第二半导体层的材质，第二半导体层相较于发光层具有较高的能阶，因此第二半导体层可以有效阻挡电子而不让电子通过。同时，中介层相较于第二半导体层具有较高的能阶，因此中介层将能更进一步地阻挡电子而不让电子通过，因而使电子得以停留在发光层中并提升发光层的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管磊晶结构
本专利技术是有关于一种发光二极管磊晶结构。
技术介绍
发光二极管由于具有高亮度、反应速度快、体积小、污染低、高可靠度、适合量产等优点，因此发光二极管在照明领域或是消费性电子产品的开发应用亦将越来越多，目前已将发光二极管广泛地应用在大型看板、交通信号灯、手机、扫描仪、传真机的光源以及照明装置等。基于上述可知，发光二极管的发光效率以及亮度需求将会越来越受到重视，是故高亮度发光二极管的研究开发将是固态照明应用上的重要课题。发光二极管已经在某些应用领域中取代荧光灯与白炽灯，而作为例如需求高速反应的扫描器灯源、投影装置的灯源、液晶显示器的背光源或前光源，汽车仪表板上的照明灯源，交通信号的灯源以及一般照明装置的灯源等等。相较于传统灯管，发光二极管具有例如体积较小、使用寿命较长、驱动电压/电流较低、结构强度较高、无汞污染以及高发光效率(节能)等显着优势。为了进一步改善发光二极管的各项特性，相关领域莫不费尽心思开发。如何能提供一种具有较佳特性的发光二极管，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前相关领域亟需改进的目标。
技术实现思路
本专利技术的一技术方案是在提供一种发光二极管磊晶结构，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管磊晶结构，其特征在于，包含：一基板；一缓冲层，设置于该基板上；一第一半导体层，设置于该缓冲层上；一发光层，设置于该第一半导体层上；一中介层，设置于该发光层上，其中该中介层的材质为P型氮化铝；一第二半导体层，设置于该中介层上，其中该第二半导体层的材质为P型氮化铝镓；以及一接触层，设置于该第二半导体层上。

【技术特征摘要】
2016.05.19 TW 1051155791.一种发光二极管磊晶结构，其特征在于，包含：一基板；一缓冲层，设置于该基板上；一第一半导体层，设置于该缓冲层上；一发光层，设置于该第一半导体层上；一中介层，设置于该发光层上，其中该中介层的材质为P型氮化铝；一第二半导体层，设置于该中介层上，其中该第二半导体层的材质为P型氮化铝镓；以及一接触层，设置于该第二半导体层上。2.根据权利要求1所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于，该中介层的厚度小于或等于该第二半导体层的厚度。3.根据权利要求1所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于，该中介层的厚度为1nm至10nm。4.根据权利要求1所述的发光二极管磊晶结构，其特征在于，该第二半导体层的厚度为10nm至50nm。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨仲傑，王德忠，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71