The invention relates to a wafer and method of manufacturing the LED, provides a LED chip and its manufacturing method, the thermal contact resistance for metal layer is uniform and formed, all blend into one harmonious whole peeling off, and LED layer between little metal plating method for thermal and mechanical strength can keep stable, at the same time not because of high fever and when the semiconductor junction opposite the lower surface of the problems caused by the heat generated. Composite lining layer clamping plating Ni layer Ni or Ni alloy on both sides of the core material composed of Mo of the clamping Cu plating layer, further formation of Au plating layer thereon, in the upper and lower layers are formed by plating Au AuSn alloy, Au/Sn In lamination, any one connection the formation of coating, and the lower surface of the coating was connected by cutting the Au plating layer is exposed, coating preservation connection and having an upper surface has AuSn Au/Sn alloy, In coating and lamination, LED.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种保持作为半导体元件的LED的同时起到防止对其蓄热的功能的LED用晶片及其制造方法。
技术介绍
在半导体装置、例如LED（发光二极管）、半导体集成电路等中，因近来的高密度化及高输出化，有散热量增加的倾向，因此在其晶片中要求良好的高散热性能的同时，倾向于要求细密化、纤细化及与之相伴的耐腐蚀性、耐冲击性等。并且，关于高散热性能，也要求为了保持与LED等的接触所需的不变形的稳定性或低热膨胀率。现有技术中，将蓝宝石基板作为该LED用晶片使用，但近来在热传导性、耐冲击性方面实际上已经显得不足。当半导体元件是LED时，该LED搭载到蓝宝石基板上，但这样一来，因接触电阻从LED的发光部发出的热容易滞留于蓝宝石基板间，在大多数的半导体元件中，当存在该蓄热时，功能下降，尤其是在LED中，其辉度衰减，或产生蓝宝石基板的破损等弊端，因此对承受它的部分使用热的比较接触电阻少、导热性良好、有强度的金属制的散热基板（晶片）。例如，是铜、钼、钨、钛等称为金属晶片的金属。并且，已知主要将钼（Mo）夹入电镀铜（Cu，Cu）中的材料（称为“DMD”）...
【技术保护点】
一种LED用晶片，其特征在于，以由Mo构成的薄板状的芯材为中心上下对称地在两面形成镀Au层，在芯材和该两个镀Au层之间介入形成对其进行补充、维持的至少由镀Cu层构成的复合衬层，在设置LED的上表面，在上述镀Au层上形成由AuSn合金、Au/Sn层压、In的任意一种形成的连接镀层，下表面是上述镀Au层的露出面。
【技术特征摘要】
1.一种LED用晶片，其特征在于，以由Mo构成的薄板状的芯材
为中心上下对称地在两面形成镀Au层，在芯材和该两个镀Au层之间
介入形成对其进行补充、维持的至少由镀Cu层构成的复合衬层，在设
置LED的上表面，在上述镀Au层上形成由AuSn合金、Au/Sn层压、
In的任意一种形成的连接镀层，下表面是上述镀Au层的露出面。
2.根据权利要求1所述的LED用晶片，其特征在于，复合衬层是
在镀Cu层的上下两面具有薄Ni或Ni合金的镀镍层的夹层构造，该镀
Cu层以镀Ni层为...
【专利技术属性】
技术研发人员：大下文夫，山口雅弘，
申请(专利权)人：株式会社高松电镀，山口雅弘，
类型：发明
国别省市：日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。