一种半导体发光元件及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体技术领域，尤其涉及一种半导体发光元件，其至少包括衬底，以及位于所述衬底上的缓冲层、N型层、第一势垒层、浅量子阱层、多量子阱发光层和P型层，其特征在于：于所述N型层和第一势垒层之间插入差排形成层，所述差排形成层包括交替层叠的InxGa1‑xN子层和n‑GaN子层，其中0.01<x<0.1，本发明专利技术通过采用低温生长于N型层和第一势垒层之间生长InxGa1‑xN/n‑GaN周期性结构的差排形成层，差排形成层产生的差排密度及宽度会逐渐加深及增大而形成V型缺陷，进而影响差排密度，从而提高量子阱内量子效率。

Semiconductor light emitting element and preparation method thereof

The invention belongs to the field of semiconductor technology, especially relates to a semiconductor light emitting element, which at least comprises a substrate, and is arranged on the substrate of the buffer layer, N layer, a first barrier layer, light quantum well layer, a multiple quantum well light emitting layer and P layer, which is characterized in that: between the N layer and the first barrier layer is inserted into the dislocation formation layer, the dislocation formation layer includes InxGa1 xN layer and N GaN layer 0.01<, which are alternately laminated; x< 0.1, the growth in the N layer and the first barrier layer growth of InxGa1 xN/n GaN periodic structure with low temperature the formation of dislocation layer, dislocations formed layer dislocation density and width will increase gradually and form V type defects, thereby affecting the dislocation density, so as to improve the internal quantum efficiency of quantum well.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体发光元件及其制备方法
本专利技术属于半导体
，尤其涉及一种半导体发光元件及其制备方法，用于控制半导体内部V型缺陷密度，进而来提高半导体元件的轴向出光效率及抗静电能力。
技术介绍
氮化镓基半导体发光元件具有体积小、效率高和寿命长等优点，在室内外照明、交通信号灯、汽车车灯和显示屏等领域有着广泛的应用，但随着应用领域及要求的增加，不断提高半导体发光元件的亮度和可靠性（尤其是抗静电能力）是每个LED厂商一直需要解决的问题。经研究发现，半导体发光元件内部V型缺陷的密度与其出光效率有着极其密切的关系，增加V型缺陷的密度可以显著提高半导体发光元件的出光效率。因此寻找一种工艺过程简单的工艺制程扩展V型缺陷密度，进而提高发光元件的轴向出光效率及抗静电能力是亟需解决的技术问题。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术首先提出一种半导体发光元件，其至少包括衬底，以及位于所述衬底上的缓冲层、N型层、第一势垒层、浅量子阱层、多量子阱发光层和P型层，其特征在于：于所述N型层和第一势垒层之间插入差排形成层，所述差排形成层包括交替层叠的InxGa1-xN子层和n-GaN子层，其中0.01<x本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件，其至少包括衬底，以及位于所述衬底上的缓冲层、N型层、第一势垒层、浅量子阱层、多量子阱发光层和P型层，其特征在于：于所述N型层和第一势垒层之间插入差排形成层，所述差排形成层包括交替层叠的InxGa1‑xN子层和n‑GaN子层，其中0.01<x<0.1。

【技术特征摘要】
1.一种半导体发光元件，其至少包括衬底，以及位于所述衬底上的缓冲层、N型层、第一势垒层、浅量子阱层、多量子阱发光层和P型层，其特征在于：于所述N型层和第一势垒层之间插入差排形成层，所述差排形成层包括交替层叠的InxGa1-xN子层和n-GaN子层，其中0.01<x<0.1。2.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：在所述差排形成层中n-GaN子层的厚度变化趋势与其n型杂质浓度变化趋势呈负相关关系。3.根据权利要求2所述的一种半导体发光元件，其特征在于：在所述差排形成层中n-GaN子层的厚度从下至上依次递增，其递增幅度为5%~20%。4.根据权利要求2所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述n型杂质浓度从下至上依次减少。5.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述差排形成层的厚度为10~50nm。6.根据权利要求2所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述n-GaN子层中n型杂质浓度为2×1018~2×1019/cm3。7.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述差排形成层为周期性的交替层叠结构，所述周期数为3~10。8.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述第一势垒层为n型掺杂层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：林继宏，林兓兓，蔡吉明，张家宏，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34