发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装元件制造技术

本发明专利技术涉及有关于一种发光二极管组件，本发明专利技术提供一种发光二极管组件，发光二极管组件倒覆于一封装基板并与其电性连接，而形成覆晶式发光二极管封装组件。发光二极管组件主要于一第二型掺杂层及一反射层之间设置一奥姆接触层及一平坦缓冲层，奥姆接触层提升第二型掺杂层与反射层间的奥姆接触特性，而且不影响发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件的发光效率。平坦缓冲层设置于奥姆接触层与反射层之间，可平整奥姆接触层，使反射层可平整地附着于平坦缓冲层，可使反射层达到镜面反射的效果，并减少反射光源产生散射的现象。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装元件本申请是申请号为201210020741.7的分案申请。
本专利技术涉及有一种发光二极管组件，特别是指一种具有良好的奥姆接触特性及良好的发光效率的发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件。
技术介绍
电能为现今不可或缺的能源之一，举凡照明装置、家庭电器、通讯装置、交通传输、或是工业设备等，若缺乏电能将无法运作。而目前全球的能源多半是利用燃烧石油或是煤等，而石油或煤并不是取的不尽的，若不积极的寻找替代能源，等到石油或煤耗尽时，全球将陷入能源危机。为了因应目前的能源危机，除了积极开发各式的再生能源之外，必须节约使用能源，并且有效的使能源，以让能源的使用效率提升。以照明设备为例，照明设备为人类生活中不可或缺，随着技术的发展，具有更好照度及更省电的照明工具也逐渐应运而生。目前一种新兴的照明光源为发光二极管。发光二极管(Light-EmittingDiode，LED)与传统光源比较，发光二极管是具有体积小、省电、发光效率佳、寿命长、操作反应速度快、且无热辐射与水银等有毒物质的污染等优点，因此近几年来，发光二极管的应用面已极为广泛。过去由于发光二极管的亮度还无法取代传统的照明光源，但随着
的不断提升，目前已研发出高照明辉度的发光二极管(高功率LED)，其足以取代传统的照明光源。发光二极管的磊晶结构为由P型及N型氮化镓是半导体层及发光层所组成。发光二极管的发光效率高低是取决于发光层的量子效率，以及该发光二极管的光取出效率。增加量子效率的方法主要是改善发光层的长晶质量及其结构设计，而增加光取出效率的关键则在于减少发光层所发出的光源在发光二极管内部反射所造成的能量损失。一般发光二极管的P型半导体层与反射层间，依照P型半导体层的半导体材料的性质与反射层所使用的金属的功函数，而形成奥姆接触或萧特基接触。当奥姆接触的电阻值太高时，会影响发光二极管的操作特性，所以必须降低奥姆接触的电阻值，因此可于P型半导体层与反射层设置奥姆接触层，以改善P型半导体层与反射层间的奥姆接触特性。现有奥姆接触层是使用Ni/Au奥姆接触层，并对奥姆接触层进行热处理以形成良好的奥姆接触。但是Ni/Au奥姆接触层对光的吸收率较高，且P型半导体层与Ni/Au奥姆接触层的间接口会因热处理而粗糙化，并无法反射光线，所以发光二极管的反射效率会降低。为了解决上述问题，请参阅图1，是现有发光二极管组件的结构图。如图所示，于P型半导体层10’与反射层12’设置一奥姆接触层11’，奥姆接触层11’是使用单层金属氧化物层，并达到高导电度，虽然奥姆接触层11’具有高导电度，但是其穿透率降低，导致发光二极管的发光效率降低；如果奥姆接触层11’具有高穿透率，但是其导电度降低，导致奥姆接触层11’的奥姆接触效果不佳。所以现有设置单层金属氧化物层为奥姆接触层11’，无法同时维持具有良好的奥姆接触特性及良好的发光效率。有鉴于上述问题，本专利技术提供一种发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件，发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件具有良好的奥姆接触特性，并且使发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件维持良好的发光效率。
技术实现思路
本专利技术的目的，在于提供一种发光二极管组件，该发光二极管组件能有效提升发光二极管组件的奥姆接触特性，而且同时维持良好发光效率。本专利技术的技术方案：一种发光二极管组件，是包含：一组件基板；一第一型掺杂层，配置于该组件基板上；一发光层，配置于该第一型掺杂层上；一第二型掺杂层，配置于该发光层上；一奥姆接触层，配置于该第二型掺杂层上；一平坦缓冲层，配置于该奥姆接触层上；一反射层，配置于该平坦缓冲层上；以及二电极，分别配置于该反射层及该第一型掺杂层。本专利技术中，其中该反射层通过该平坦缓冲层达镜面反射的效果。本专利技术中，其中该第一型掺杂层为N型半导体层，该第二型掺杂层为P型半导体层。本专利技术中，其中该奥姆接触层为一金属薄膜或是一金属氧化物层。本专利技术中，其中该奥姆接触层的光穿透率高于90％。本专利技术中，其中该奥姆接触层的厚度是小于5000埃米本专利技术中，其中该平坦缓冲层为一光穿透率高于95％的金属氧化物层。本专利技术中，其中该金属氧化物是选自氧化铟锡、氧化铈锡、氧化锑锡、氧化铟锌及氧化锌所组成的群组。本专利技术中，其中该平坦缓冲层与该反射层相接的表面的均方根粗糙度是小于20埃米。本专利技术中，其中该平坦缓冲层的厚度是介于500埃米与5000埃米之间。本专利技术，其中该反射层是选自银、金、铝、铜所组成的群组。本专利技术中，其中进一步包含一覆盖层，该覆盖层配置于该反射层上且延展至该反射层的侧壁。一种覆晶式发光二极管封装组件，其特征在于，是包含：一封装基板；一发光二极管组件，倒覆于该封装基板而与其电性连接，该发光二极管组件包括:一组件基板；一第一型掺杂层，配置于该组件基板上；一发光层，配置于该第一型掺杂层上；一第二型掺杂层，配置于该发光层上；一奥姆接触层，配置于该第二型掺杂层上；一平坦缓冲层，配置于该奥姆接触层上；及一反射层，配置于该平坦缓冲层上；以及二电极，分别配置于该反射层及该第一型掺杂层上。本专利技术中，其中该发光二极管组件是通过一共晶结构与该封装基板电性连接。本专利技术具有的有益效果：本专利技术通过具高导电度的奥姆接触层，使得发光二极管组件的第二型掺杂层与反射层间具有良好的电流传输，有效提升发光二极管组件的奥姆接触特性。再者，本专利技术又利用一平坦缓冲层，平坦缓冲层设置于奥姆接触层与反射层之间，使奥姆接触层的表面平整，让反射层可以平整地附着于平坦缓冲层，藉此使反射层达到镜面反射的效果，并减少反射光源产生散射现象，以达到良好的发光效率。进一步，本专利技术提供另一种覆晶式发光二极管封装组件，根据本专利技术的一较佳实施例的覆晶式发光二极管封装组件是包含：一封装基板；一发光二极管组件，倒覆于该封装基板而与其电性连接，该发光二极管组件包括:一组件基板；一第一型掺杂层，配置于该组件基板上；一发光层，配置于该第一型掺杂层上；一第二型掺杂层，配置于该发光层上；一奥姆接触层，配置于该第二型掺杂层上；一平坦缓冲层，配置于该奥姆接触层上；一反射层，配置于该平坦缓冲层上；以及二电极，分别配置于该反射层及该第一型掺杂层上。本专利技术的覆晶式发光二极管封装组件是利用一具备良好奥姆接触特性与发光效率的发光二极管组件，将其倒覆于封装基板并作电性连接，通过封装基板的高散热性，使得发光二极管组件所产生的热能直接往外传并通过封装基板直接散出，使封装组件能具有较佳的散热效果，可提升整体的性能。附图说明图1为现有发光二极管组件的结构图；图2为本专利技术的一较佳实施例的结构图；图3为本专利技术的另一较佳实施例的结构图；图4为本专利技术的另一较佳实施例的结构图；以及图5为本专利技术的另一较佳实施例的结构图。【图号对照说明】10’P型半导体层11’奥姆接触层12’反射层2覆晶式发光二极管封装组件20封装基板22发光二极管组件221组件基板222第一型掺杂层223发光层224第二型掺杂层225、225a奥姆接触层226、226a平坦缓冲层227反射层228、229电极230覆盖层24共晶结构具体实施方式为使对本专利技术的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，用以较佳的实施例及附图配合详细的说明，说明如下：请参阅图2，是本专利技术的一较佳实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管组件，其特征在于，是包含：一组件基板；一第一型掺杂层，配置于该组件基板上；一发光层，配置于该第一型掺杂层上；一第二型掺杂层，配置于该发光层上；一奥姆接触层，配置于该第二型掺杂层上；一平坦缓冲层，配置于该奥姆接触层上，其中該平坦缓冲层的厚度小於該奥姆接触层的厚度；一反射层，配置于该平坦缓冲层上；以及二电极，分别配置于该反射层及该第一型掺杂层。

【技术特征摘要】
2011.11.29 TW 1001438301.一种发光二极管组件，其特征在于，是包含：一组件基板；一第一型掺杂层，配置于该组件基板上；一发光层，配置于该第一型掺杂层上；一第二型掺杂层，配置于该发光层上；一奥姆接触层，配置于该第二型掺杂层上；一平坦缓冲层，配置于该奥姆接触层上，其中該平坦缓冲层的厚度小於該奥姆接触层的厚度；一反射层，配置于该平坦缓冲层上；以及二电极，分别配置于该反射层及该第一型掺杂层。2.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，其中该平坦缓冲层的光穿透率高於該奥姆接触层的光穿透率。3.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，其中该平坦缓冲层的导电度是小于該奥姆接触层的导电度。4.一种发光二极管组件，其特征在于，是包含：一组件基板；一第一型掺杂层，配置于该组件基板上；一发光层，配置于该第一型掺杂层上；一第二型掺杂层，配置于该发光层上；一奥姆接触层，配置于该第二型掺杂层上；一平坦缓冲层，配置于该奥姆接触层上，其中該坦缓冲层的厚度大於該奥姆接触层的厚度；一反射层，配置于该平坦缓冲层上；以及二电极，分别配置于该反射层及该第一型掺杂层。。5.如权利要求4所述的发光二极管组件，其特征在于，其中该平坦缓冲层的光穿透率高於該奥姆接触层的光穿透率。6.如权利要求4所述的发光二极管组件，其特征在于，其中该平坦缓冲层的导电度是小于該奥姆...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗玉云，吴志凌，黄逸儒，林子旸，李允立，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71