一种多光谱发光二极管结构制造技术

本发明专利技术公开了一种多光谱发光二极管结构，包含：衬底和半导体叠层，该半导体叠层至少包含一层n型半导体层、一层p型半导体层和多光谱发光多量子阱层；特征是：所述多光谱发光多量子阱层由量子阱禁带宽度不同的两组或三组层叠排列的多量子阱发光单元组成，可以同时出射两种或三种波长的光，任意两种波长的光之间的波长差为λ，其中100nm≥λ≥10nm；所述多量子阱发光单元是由量子阱层和量子垒层组成的周期结构，周期数为k；所述多量子阱发光单元的发光波长由其量子阱禁带宽度决定，发光波长范围为380nm─700nm。本发明专利技术能在单芯片内直接出射多光谱，可使五基色白光封装所用芯片颗粒数大幅下降，对灯珠的电路设计、光学设计以及混光提供了很大的设计窗口。

Multi spectral light-emitting diode structure

The invention discloses a multi spectral light emitting diode structure comprises a substrate and a semiconductor stack, the stack of semiconductor layers includes at least one layer of N type semiconductor layer, a layer of P type semiconductor layer and multi spectral light emitting multi quantum well layer; it is characterized in that a multi quantum well multi spectral light emitting layer by multiple quantum wells quantum well bandgap of two different groups or three groups of cascaded luminescence units which can output two or three wavelengths at the same time, between any two of the wavelength of the light wavelength difference is lambda, wherein 100nm = lambda = 10nm; the multiple quantum well light emitting unit is composed of quantum periodic structure the quantum well layer and the barrier layer, the cycle is K; the emitting wavelength of the multiple quantum well light emitting unit is determined by the quantum well band gap emission wavelength range of 380nm - 700nm. The invention can directly output in single chip multi spectral, can use chip particle number dropped five colors of white packaging made of beads, circuit design, optical design and optical mixing provides a great window design.

【技术实现步骤摘要】
一种多光谱发光二极管结构
本专利技术涉及半导体照明
，尤其是涉及一种多光谱发光二极管结构。
技术介绍
发光二极管（LED）以其节能环保、可靠性高等显著特点得到人们广泛的关注和研究。在能源危机和环境危机日益加重的今天，众多国家和地区将LED照明技术列为国家发展战略。经过二十多年的研究和努力，LED外延生长技术、LED芯片制造技术以及LED封装技术均得到长足进步，使得LED被广泛用于显示屏、指示灯、景观照明、汽车灯、通用照明等很多领域。目前，照明用白光LED通常采用“蓝光LED+荧光粉”的方式制成，这种形式的白光LED存在以下缺点：1、显色指数、色温和发光效率之间难以协调；2、荧光粉有限的转换效率损失了部分LED的发光效率。为此，人们提出了采用多色LED合成白光的技术方案，如将“红+黄+绿+青+蓝”五基色LED芯片封装在一起制成白光LED。这种白光LED将可望获得低色温、高显色指数、高光效的白光光源。如果直接将五种颜色的LED芯片进行封装获得前述五基色白光，则在灯具封装的过程中使用芯片数量多，一来对灯珠电路、光学设计带来困难，其次光在空间的混合均匀性也较难调节。
技术实现思路
本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多光谱发光二极管结构，包含：衬底；层叠于所述衬底上的半导体叠层，该半导体叠层至少包含一层n型半导体层、一层p型半导体层和一层夹于n型半导体层、p型半导体层之间的多光谱发光多量子阱层；其特征在于：所述多光谱发光多量子阱层由量子阱禁带宽度不同的两组或三组层叠排列的多量子阱发光单元组成，两组层叠排列的多量子阱发光单元能同时出射两种波长的光，三组层叠排列的多量子阱发光单元能同时出射三种波长的光，任意两种波长的光之间的波长差为λ，其中:100nm≥λ≥10nm；所述多量子阱发光单元是由量子阱层和量子垒层组成的周期结构，周期数为k，其中:10≥k≥1；所述多量子阱发光单元的发光波长由多量子阱发光单元的...

【技术特征摘要】
1.一种多光谱发光二极管结构，包含：衬底；层叠于所述衬底上的半导体叠层，该半导体叠层至少包含一层n型半导体层、一层p型半导体层和一层夹于n型半导体层、p型半导体层之间的多光谱发光多量子阱层；其特征在于：所述多光谱发光多量子阱层由量子阱禁带宽度不同的两组或三组层叠排列的多量子阱发光单元组成，两组层叠排列的多量子阱发光单元能同时出射两种波长的光，三组层叠排列的多量子阱发光单元能同时出射三种波长的光，任意两种波长的光之间的波长差为λ，其中:100nm≥λ≥10nm；所述多量子阱发光单元是由量子阱层和量子垒层组成的周期结构，周期数为k，其中:10≥k≥1；所述多量子阱发光单元的发光波长由多量子阱发光单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘军林，江风益，莫春兰，张建立，王小兰，吴小明，高江东，
申请(专利权)人：南昌大学，南昌黄绿照明有限公司，
类型：发明
国别省市：江西,36